专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种GST(GeTe/Sb2-CN202111408294.8有效
  • 兰睿;缪家乐;王鹏飞;周鹏;钱栋杰 - 江苏科技大学
  • 2021-11-24 - 2023-09-26 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种GST(GeTe/Sb2Te3)量子阱热电薄膜及其制备方法及用途,以纯度为99.99%的GeTe和Sb2Te3靶材为原料,采用磁控交替溅射的方法,在Si片和石英衬底上制备得到,薄膜化学式为(GeTe)x(Sb2Te3)1‑x,(0.5<x<1)。本发明通过合理选择并控制分层膜厚以及亚层膜厚比率,来优化制备量子阱的热电性能,同时采用磁控交替溅射工艺制备GST(GeTe/Sb2Te3)热电量子阱。能够有效的评估和保障制备GST(GeTe/Sb2Te3)热电量子阱的参数选择的合理性,相对于传统的GeTe和Sb2Te3薄膜,热电性能得到提高。
  • 一种gstgetesbbasesub
  • [发明专利]一种含W低活化高熵合金及其制备方法-CN202111145286.9有效
  • 操振华;张子鉴;陈家豪;韩茜婷;马涵 - 南京工业大学
  • 2021-09-28 - 2023-09-26 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种一种含W低活化高熵合金薄膜及其制备方法。其特征在于利用共溅射和交替溅射沉积(TiVCr)100‑xWx高熵合金和单相W层,形成具有不同单层厚度(TiVCr)100‑xWx/W纳米多层结构,其中(TiVCr)100‑xWx层中掺杂不同的W含量,W单层中通过层厚可调节α‑W和β‑W,通过不同相的组合、界面强化以及固溶强化,获得具有优异力学和物理性能的含W的低活化高熵合金材料。本发明方法操作简单,重复性好,清洁无污染,所制备薄膜表面平整,膜厚均匀,具有低活化,高热稳定性,抗辐照损伤等性能优势,相比TiVCr单相薄膜性能显著提升,具有良好的应用前景。
  • 一种活化合金及其制备方法
  • [发明专利]一种纳米结构高熵超合金及其制备方法-CN202210373612.X有效
  • 操振华;韩茜婷;马涵;陈家豪;开明杰 - 南京工业大学
  • 2022-04-11 - 2023-09-26 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种纳米结构高熵超合金及其制备方法。所述的高熵超合金为纳米尺度L12、B2或L12/B2金属间化合物组成,高熵超合金按原子数比记为(NiaCobMc)100‑x‑yAlxNy,M为Cr、Fe或Cu中的一种或多种,N为Ti、Nb或Ta中的一种或多种利用磁控溅射法交替沉积NiCoM层、Al层和金属N层,通过改变单层厚度比值来调控元素的成分,采用真空退火处理促进元素扩散和界面合金化,最终形成具有纳米等轴晶粒结构的L12或B2相高熵超合金,该合金具有高强度、耐高温和抗氧化特性。本发明方法操作简单、重复性好且安全无污染、材料适用性广泛,具有良好的应用前景。
  • 一种纳米结构超合金及其制备方法
  • [发明专利]一种大面积13-CN202210926032.9有效
  • 卢子伟;刘凤琼;朱亚滨;张宏斌;李海霞;李荣华;王秀华;陈翠红;李占奎 - 中国科学院近代物理研究所
  • 2022-08-03 - 2023-09-26 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种大面积13C同位素靶的制备方法。采用热压法将13C同位素粉末热压到背靶材上,得到用于磁控溅射的13C同位素块状靶材;将热压成型的13C同位素块状靶材装入磁控溅射设备中,抽真空,采用射频磁控溅射法对待镀膜样品进行镀膜,得到所需大面积13C同位素靶。采用该方法成功制备出了满足核物理实验需求的大面积13C同位素靶,制备出的13C同位素靶的有效面积可以达到直径40mm,并且由于本方法采用的是磁控溅射法,磁控溅射法产生的辉光直径约为40mm,而重离子溅射法的重离子束斑直径仅为2mm左右,因此采用本方法制备的13C同位素靶的均匀性和制备效率也得到了明显提升。
  • 一种大面积basesup13
  • [发明专利]磁控溅射镀膜机-CN202310971347.X在审
  • 庞震 - 徐州桦森信网络科技有限公司
  • 2023-08-03 - 2023-09-22 - C23C14/35
  • 本发明公开了磁控溅射镀膜机,涉及镀膜生产领域。本发明包括机体,机体上固定连接有镀膜罐,镀膜罐上卡接有盖体,还包括:下载板,固定连接在镀膜罐中;上载板;滑腔,开设在下载板中;第一滑塞,滑动连接在滑腔中;抵筒,固定连接在第一滑塞上,抵筒用于上推上载板;负压腔,开设在上载板中;负压孔,开设在上载板上,负压孔位于镀膜件正上方;吹气管,固定连接在下载板上,且吹气管和滑腔相连通;蓄压罐,固定连接在吹气管上;输气管,固定连接在蓄压罐进气端上;蒸汽罐,固定连接在输气管上;通过排气管吹出镀膜件的同时,负压腔吸附镀膜件,不再需要人工手动扣出镀膜件,简化了加工步骤,同时保证了镀膜件的完整性。
  • 磁控溅射镀膜
  • [发明专利]一种隔离层溅镀方法-CN202210422862.8在审
  • 梁国德 - 广东德立科技发展有限公司
  • 2022-04-21 - 2023-09-22 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种隔离层溅镀方法,包括以下步骤:打开上箱门,将基材放置在溅镀装置的基材安装机构上,启动抽真空装置,将溅镀仓内抽真空,打开电磁阀,惰性气体经过惰性气体存储罐、输送管和喷头进入溅镀仓中,本发明中,驱动轴带动主动轮转动,用传动带带动从动轮转动,带动往复丝杆转动,活动块沿着往复丝杆做往复运动,滑杆沿着滑孔往复运动,带动支架和磁铁往复运动,利用磁铁改变溅镀仓内部的磁场环境,使得等离子体扩散的范围更广,等离子体将靶材的原子轰出,沉积在基材表面。
  • 一种隔离层溅镀方法
  • [发明专利]一种金纳米树枝晶及其制备方法和用途-CN202111664337.9有效
  • 朱储红;郭林凡;刘丹;翟海超;杜海威;徐更生;李村;袁玉鹏 - 安徽大学
  • 2021-12-31 - 2023-09-22 - C23C14/35
  • 本发明公开了一种金纳米树枝晶及其制备方法和用途。该树枝晶由位于导电衬底表面上金纳米薄膜边缘的分支状金纳米结构组成;该金纳米树枝晶分为主干和各级分支结构组成;制备方法包括在导电衬底上溅射金颗粒膜,然后在金纳米薄膜上形成狭长缝隙,在缝隙处金膜边缘或导电衬底边缘处的金膜边缘,电沉积制备金纳米树枝晶结构。该金纳米树枝晶是微纳结构,具有抗团聚、比表面积大等优点,尤其具有三维空间分布的棱锥状的金纳米结构,可作为表面增强拉曼散射(SERS)的活性基底来测量其上附着的痕量有机物,检出浓度低至10‑12mol/L的罗丹明6G。通过调节电沉积参数,可对金纳米树枝晶的局域表面等离激元共振(LSPR)峰的调控,使其与532nm的激发光相匹配。
  • 一种纳米树枝及其制备方法用途
  • [发明专利]一种用于高功率脉冲磁控溅射的装置及方法-CN202210751230.6有效
  • 田修波;柏贺达 - 松山湖材料实验室
  • 2022-06-28 - 2023-09-22 - C23C14/35
  • 本发明提供了一种用于高功率脉冲磁控溅射的装置及方法,涉及磁控溅射镀膜领域,该装置用于高功率脉冲磁控溅射中,包括磁控靶及至少两个电磁铁,磁控靶为磁控阴极,至少两个电磁铁平行于磁控靶的靶面方向分别设置于磁控靶的两侧,电磁铁连接电磁铁电源,电磁铁电源用于调控电磁铁的磁极及产生的磁场强度,使至少两个电磁铁的极性在N极和S极之间周期性变化和/或使磁场强度进行周期性的变化。通过电磁铁产生的磁场调控溅射出来的等离子体在平行于靶面的方向做来回运动,使得等离子体在平行于靶面的方向上空间分布更加均匀,进而可以提高扫描区域成膜均匀性和膜层质量。
  • 一种用于功率脉冲磁控溅射装置方法
  • [发明专利]成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法-CN201910825055.9有效
  • 松本行生;佐藤祐希 - 佳能特机株式会社
  • 2019-09-03 - 2023-09-22 - C23C14/35
  • 本发明提供一种成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法,能够尽可能地限制在成膜待命区域从成膜源放出的成膜材料蔓延到成膜区域侧,抑制附着于成膜对象物。该成膜装置具有:与位于成膜待命区域(B1)的成膜源(3)相向地配置的相向构件(41);以及配置在位于成膜待命区域(B1)的成膜源(3)的成膜区域(A)侧,与成膜源(3)一起相对于成膜对象物(2)相对移动的遮蔽构件(51),遮蔽构件(51)具有在成膜源(3)位于成膜待命区域(B1)时与相向构件(41)相向的相向端部(5a),相向端部(5a)的相对移动方向的宽度(L)大于相向端部(5a)与相向构件(41)之间的最短距离。
  • 装置方法以及电子器件制造

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