[发明专利]提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法无效
| 申请号： | 92100068.5 | 申请日： | 1992-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1025467C | 公开（公告）日： | 1994-07-13 |
| 发明（设计）人： | 罗梅村;赵时化 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 中国科学院专利事务所 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 高压 平面 器件 击穿 电压 良品率 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种提高硅高压平面器件击穿电压的良品率的方法其特征是：
当芯片加工的高温工艺完成后，将终端区的硅表面裸露；用化学清洗的方法对裸露的硅表面进行腐蚀剥离，腐蚀剥离液的体积比组成是：
HNO3为50-80
HAC为1-25
HF为1-5
腐蚀剥离时间为4-15分钟，腐蚀温度为5°-25℃；清洗腐蚀剥离后，再在表面生长一层适当的钝化层。
2、按权利要求1所述的方法其特征是用光刻腐蚀的方法将终端区的硅表面裸露。
3、按权利要求1所述的方法其特征是硅表面终端裸露区以外的有源区用光刻胶或二氧化硅保护。
4、按权利要求3所述的方法其特征是用氟化及轰击对光刻胶进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
