[发明专利]一种大尺寸半导体材料电导率提升方法及器件

权利要求书

1.一种大尺寸半导体材料电导率提升方法，其特征在于，包括：

在基于缓冲层进行外延工艺之前，在缓冲层上外延电导层，其中外延的所述电导层的材料与所述缓冲层的材料晶格匹配；

基于所述电导层，利用分子束外延工艺，外延吸收层。

2.如权利要求1所述的大尺寸半导体材料电导率提升方法，其特征在于，还包括：

利用高温脱氧除气热处理工艺处理衬底；

基于处理后的所述衬底，外延5μm-8μm的所述缓冲层。

3.如权利要求1所述的大尺寸半导体材料电导率提升方法，其特征在于，所述缓冲层为碲化镉的缓冲层，所述电导层为碲化汞材料的电导层，且所述电导层的厚度小于所述缓冲层的厚度。

4.如权利要求3所述的大尺寸半导体材料电导率提升方法，其特征在于，在缓冲层上外延电导层包括：

在第一温度环境下，高纯碲在富汞气氛下外延所述电导层。

5.如权利要求3或4所述的大尺寸半导体材料电导率提升方法，其特征在于，所述电导层的厚度为30nm～60nm。

6.如权利要求2所述的大尺寸半导体材料电导率提升方法，其特征在于，所述吸收层的厚度与所述缓冲层的厚度相近。

7.如权利要求1所述的大尺寸半导体材料电导率提升方法，其特征在于，还包括在缓冲层上外延电导层的过程中，利用温度补偿的方式，将外延表面温度控制在所述缓冲层材料的生长温度窗口内。

8.一种半导体器件，其特征在于，基于如权利要求1-7任一项所述的大尺寸半导体材料电导率提升方法制备。

9.一种红外探测器，其特征在于，包括如权利要求8所述的半导体器件。