[发明专利]用于存储器装置的定时信号延迟在审

专利信息
申请号: 202111359296.2 申请日: 2021-11-17
公开(公告)号: CN114550788A 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 黄志琪;褚炜路;潘栋 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C16/32;G11C16/30
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 存储器 装置 定时 信号 延迟
【权利要求书】:

1.一种方法,其包括:

在存储器装置处至少部分地基于所述存储器装置的操作条件以及第二电压而产生第一电压;

至少部分地基于所述操作条件以及所述第二电压而使用所述第一电压对延迟组件的晶体管的栅极进行偏压;

至少部分地基于将所述晶体管的所述栅极偏压到所述第一电压而配置所述延迟组件的可变阻抗;以及

至少部分地基于配置所述可变阻抗而延迟所述存储器装置的操作的定时信号。

2.根据权利要求1所述的方法,其中:

所述存储器装置的所述操作条件包括所述存储器装置的操作温度;以及

产生所述第一电压是至少部分地基于所述存储器装置的所述操作温度、与参考晶体管相关联的电压降和所述第二电压。

3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第二电压的电压电平被配置成设置所述第一电压对所述存储器装置的所述操作条件的第一灵敏度和所述第一电压对与所述参考晶体管相关联的所述电压降的第二灵敏度。

4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

将所述第二电压施加到放大器,所述第二电压包括固定电压,其中产生所述第一电压是至少部分地基于将所述第二电压施加到所述放大器。

5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

通过电流镜将参考电流施加到与所述电流镜耦合的参考晶体管,所述参考晶体管包括至少部分地基于与所述晶体管相关联的第二电压降的第一电压降,其中产生所述第一电压是至少部分地基于将所述参考电流施加到所述参考晶体管。

6.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括:

通过所述电流镜将电流施加到可编程电阻,其中产生所述第一电压是至少部分地基于通过所述电流镜将所述电流施加到所述可编程电阻。

7.根据权利要求6所述的方法,其中所述电流与所述存储器装置的操作温度成比例。

8.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

在所述延迟组件处接收用于操作所述存储器装置的输入信号,其中延迟所述定时信号包括至少部分地基于配置所述延迟组件的所述可变阻抗而相对于所述输入信号延迟所述定时信号。

9.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:

至少部分地基于配置所述延迟组件的第一可变阻抗而用第一延迟相对于所述输入信号的上升沿延迟所述定时信号的上升沿;以及

至少部分地基于配置所述延迟组件的第二可变阻抗而用第二延迟相对于所述输入信号的下降沿延迟所述定时信号的下降沿。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述操作条件包括所述存储器装置的操作温度、所述存储器装置的组件的工艺变化、所述存储器装置的电压,或其组合。

11.一种设备,其包括:

信号发生器,其被配置成产生存储器装置的第一信号;

电压源,其被配置成产生至少部分地基于固定电压和所述存储器装置的操作条件的配置电压;以及

延迟组件,其与所述信号发生器和所述电压源耦合,所述延迟组件包括具有与所述电压源耦合的栅极的晶体管,所述晶体管包括至少部分地基于施加到所述晶体管的所述栅极的所述配置电压而可配置的可变阻抗,其中所述延迟组件被配置成产生第二信号,所述第二信号具有至少部分地基于所述配置电压的相对于所述第一信号的延迟。

12.根据权利要求11所述的设备,其中所述电压源包括与所述固定电压耦合的放大器,其中所述放大器的输出与所述延迟组件的所述晶体管耦合,并且所述电压源被配置成至少部分地基于施加到所述放大器的所述固定电压而产生所述配置电压。

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