[发明专利]一种超快恢复整流二极管芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202110731903.7 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113314413A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴王进;古进;龚昌明;杨波;陈海;何燕杰;唐志甫 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 汪劲松 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 整流二极管 芯片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种超快恢复整流二极管芯片的制造方法，具体步骤为：
1)硅片键合，将高阻率硅片和低阻率硅片研磨抛光后在惰性气体保护下键合；
2)气体携带源扩散，
3)磨片，研磨键合后硅片的高阻率的一面；
4)硼扩散；
5)喷砂，喷砂处理硅片表面；
6)铂扩散，在扩散炉中采用750℃-800℃的温度扩散0.5-2.5小时；
7)金属化。
2.如权利要求1所述的超快恢复整流二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述硅片键合首先对高阻率硅片和低阻率硅片进行薄膜沉积工艺，在其表面生长二氧化硅薄膜，然后在高温下进行键合并退火。
3.如权利要求1所述的超快恢复整流二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述携带源扩散的扩散温度为1100℃～1200℃，扩散时间为4h～6h。
4.如权利要求1所述的超快恢复整流二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述硼扩散过程中扩散炉升温速度为4～8℃/min，扩散温度为1000～1100℃。
5.如权利要求1所述的超快恢复整流二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述金属化对低阻率硅片的一面掺磷区进行减薄工艺处理；然后在低阻率硅片底部进行金属淀积，形成背面金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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