[发明专利]发光器件和显示基板在审
申请号: | 202110702909.1 | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN113299681A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 孙双;彭宽军;张方振;陈婉芝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 武娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 显示 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括:至少一个发光结构与第一导热结构,所述第一导热结构与每个所述发光结构接触,所述第一导热结构被配置为将所述发光结构产生的热量传导出去。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,还包括衬底;所述发光结构位于所述衬底与所述第一导热结构之间;
所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层;所述第一半导体层位于所述衬底上,所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧,所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧;
所述衬底包括非发光区;
所述第一导热结构位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧,且在所述衬底上的正投影位于所述非发光区。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第一导热结构包括导热层;所述导热层位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧。
4.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,还包括第一绝缘层与反射层;所述第一绝缘层位于所述导热层远离所述第二半导体层的一侧,所述反射层位于所述第一绝缘层远离所述导热层的一侧;
所述第一导热结构还包括第一焊盘,所述第一焊盘位于所述反射层远离所述第一绝缘层的一侧,所述第一焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述导热层连接。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,包括两个所述发光结构,两个所述发光结构串联。
6.根据权利要求5所述的发光器件,其特征在于,还包括第一电极、第二电极与第三电极,两个所述发光结构通过所述第一电极串联;
两个所述发光结构包括第一发光结构与第二发光结构,所述第一发光结构的第一半导体层与所述第一电极的第一端连接,所述第二发光结构的第二半导体层与所述第一电极的第二端连接;
所述第二电极与所述第一发光结构中的第二半导体层连接,所述第三电极与第二发光结构中的第一半导体层连接。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,还包括第一导电层;所述第一导电层位于所述第二发光结构与所述第一绝缘层之间;
所述衬底还包括第一发光区,所述第一发光区与所述非发光区相邻;所述第一导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第一发光区中,且与所述第二发光结构中的第二半导体层连接,所述第一导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中,且与所述第一电极的第二端连接。
8.根据权利要求7所述的发光器件,其特征在于,还包括第二绝缘层,所述第二绝缘层位于所述第一发光结构与所述第二发光结构之间,且位于所述第一导电层与所述衬底之间,以及位于所述第一电极与所述衬底之间;
所述第二绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中,且所述第二绝缘层的第一端位于所述第二发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧,第二端与所述第一发光结构的第一半导体层接触;
所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内,所述第一发光结构中的第一半导体层包括第一连接部,所述第一连接部在所述衬底上的正投影与所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影不存在重合部分,所述第一连接部位于靠近所述第二发光结构的一侧,所述第一连接部与所述第一电极的第一端连接。
9.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,还包括第二导电层;所述第二导电层位于所述第一发光结构与所述第一绝缘层之间;
所述衬底还包括第二发光区,所述第二发光区与所述非发光区相邻;所述第二导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第二发光区中,且与所述第一发光结构中的第二半导体层连接,所述第二导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中,且与第二电极连连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110702909.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的