[发明专利]一种芯片阻焊倒装结构

说明书

本发明公开了一种芯片阻焊倒装结构，包括基板、金属焊盘、锡膏、金球和芯片阻焊结构，所述金属焊盘设于基板上，所述锡膏设于基板上且与金属焊盘相连，所述金球设于锡膏上，所述芯片阻焊结构设于金球上。本发明属于芯片封装技术领域，具体是一种芯片阻焊倒装结构，采用超声波焊接的方式，实现了植金球的焊接，采用在芯片上覆盖氧化物保护层的方式，实现阻焊、防止锡扩散的技术效果，有效解决了目前市场上芯片的传统阻焊工艺效果差，且自身结构复杂，维护较为不便的问题。

技术领域

本发明属于芯片封装技术领域，具体是指一种芯片阻焊倒装结构。

背景技术

芯片的传统阻焊工艺，是将芯片PAD需要开窗的图形开一个对应的MASK，然后在芯片PAD上增加一层金属，镍铜或者钛铜，形成UBM，防止锡扩散，再刷上锡膏或者植锡球的方式形成凸点锡球，再将芯片倒装到基板上，通过reflow熔化焊接；上述需要每个型号定制一套MASK重布UBM，且需选用6～7号锡粉作为焊料，成本非常高，在wafer通过reflow的制程上，因材料本身特性，由于升降温过程很难精准控制，易产生0.1～0.3％碎片率。

发明内容

针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本发明提供一种芯片阻焊倒装结构，采用超声波焊接的方式，实现了植金球的焊接，采用在芯片上覆盖氧化物保护层的方式，实现阻焊、防止锡扩散的技术效果，有效解决了目前市场上芯片的传统阻焊工艺效果差，且自身结构复杂，维护较为不便的问题。

本发明采取的技术方案如下：本发明一种芯片阻焊倒装结构，包括基板、金属焊盘、锡膏、金球和芯片阻焊结构，所述金属焊盘设于基板上，所述锡膏设于基板上且与金属焊盘相连，所述金球设于锡膏上，所述芯片阻焊结构设于金球上。

进一步地，所述芯片阻焊结构包括晶圆、钛合金层、保护层、芯片和PAD开窗，所述PAD开窗与晶圆相连，所述钛合金层与PAD开窗相连，所述保护层设于钛合金层且与PAD开窗分离，所述芯片设于保护层和钛合金层之间。

进一步地，所述保护层的材料为SiO2或SiN。

一种芯片阻焊倒装结构的阻焊工艺，包括如下步骤：

1)将芯片金属电路PAD Metal部分的PAD开窗，其它的全部区域，增加保护层保护电路，制作后，晶圆表面自然形成一层氧化物；

2)在PAD开窗上通过超声焊接方式植金球；

3)在基板的金属焊盘上增加锡膏；

4)Wafer切割后，将芯片倒装到基板上，通过reflow的方式，实现金球与锡结合，同时可以利用芯片PAD开窗上的氧化物，芯片表面的保护层，作阻焊作用，防止基板上的锡往芯片其它区域扩散。

采用上述结构本发明取得的有益效果如下：本方案一种芯片阻焊倒装结构，采用超声波焊接的方式，实现了植金球的焊接，采用在芯片上覆盖氧化物保护层的方式，实现阻焊、防止锡扩散的技术效果，有效解决了目前市场上芯片的传统阻焊工艺效果差，且自身结构复杂，维护较为不便的问题。

附图说明

图1为本发明芯片阻焊倒装结构的芯片阻焊结构示意图；

图2为本发明芯片阻焊倒装结构的植金球的结构示意图；

图3为本发明芯片阻焊倒装结构基板的结构示意图；

图4为本发明芯片阻焊倒装结构芯片倒装的结构示意图。

其中，1、基板，2、金属焊盘，3、锡膏，4、金球，5、芯片阻焊结构，6、晶圆，7、钛合金层，8、保护层，9、芯片，10、PAD开窗。

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。

具体实施方式