[发明专利]像素结构和图像传感器有效
申请号: | 202110391981.7 | 申请日: | 2021-04-12 |
公开(公告)号: | CN113178457B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 罗轶 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 柳岩 |
地址: | 523863 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 图像传感器 | ||
本申请公开了一种像素结构和图像传感器,像素结构包括多个邻接且阵列排布的像素单元,相邻所述像素单元之间设置有第一光学隔墙;微透镜组件,微透镜组件位于所有像素单元上侧,且微透镜组件与所有像素单元相对;像素单元包括由上至下依次设置的彩色滤光片、像素微透镜和光电转换层,相邻像素单元的彩色滤光片的颜色不同。本申请中,相邻所述像素单元的彩色滤光片的颜色不同,能够避免使用像素重排技术进行技术妥协,防止图像失真,同时,相邻的像素单元之间设置有第一光学隔墙,且在彩色滤光片下设置有像素微透镜,能够帮助像素单元更好地提升光学性能,从而使本申请在输出高分辨率的图像时具有较佳的图像质量。
技术领域
本申请属于图像技术领域,具体涉及一种像素结构和图像传感器。
背景技术
图像传感器能够利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号,实现光电转换,能够完成如手机或者平板电脑等电子设备的摄像等功能。其中,互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor(CMOS))图像传感器具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点,因而CMOS图像传感器得到了普遍应用。
但是CMOS图像传感器在电子设备输出高分辨率的图像时会使图像严重失真,影响图像质量。
发明内容
本申请旨在提供一种像素结构和图像传感器,至少解决现有的图像传感器输出高分辨率的图像时会使图像质量较差的问题。
为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提出了一种像素结构,包括:
多个邻接且阵列排布的像素单元,相邻所述像素单元之间设置有第一光学隔墙;
微透镜组件,所述微透镜组件位于所有所述像素单元上侧,且所述微透镜组件与所有所述像素单元相对;
其中,所述像素单元包括由上至下依次设置的彩色滤光片、像素微透镜和光电转换层,相邻所述像素单元的彩色滤光片的颜色不同。
第二方面,本申请实施例提出了一种图像传感器,包括以上所述的像素结构。
在本申请的实施例中,相邻所述像素单元的彩色滤光片的颜色不同,能够避免使用像素重排技术进行技术妥协,防止图像失真,同时,相邻的像素单元之间设置有第一光学隔墙,能够减少像素间的串扰噪音,且在彩色滤光片下设置有像素微透镜,能够帮助像素单元更好的聚光,提升光学性能,从而使本申请在图像传感器输出高分辨率的图像时具有较佳的图像质量。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是根据本发明第一实施例的像素单元结构示意图;
图2是第一微透镜与4个像素单元相对时的俯视图;
图3是第一微透镜与9个像素单元相对时的俯视图;
图4是根据本发明第二实施例的像素单元结构示意图。
附图标记:
1、像素单元;11、彩色滤光片;12、像素微透镜;13、光电转换层;2、第一光学隔墙;3、第一微透镜;4、第二光学隔墙;5、第二微透镜;6、第三微透镜;7、线路层。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的