[发明专利]像素结构和图像传感器有效
申请号: | 202110391981.7 | 申请日: | 2021-04-12 |
公开(公告)号: | CN113178457B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 罗轶 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 柳岩 |
地址: | 523863 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 图像传感器 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
多个邻接且阵列排布的像素单元,相邻所述像素单元之间设置有第一光学隔墙;
微透镜组件,所述微透镜组件位于所有所述像素单元上侧,且所述微透镜组件与所有所述像素单元相对;
其中,所述像素单元包括由上至下依次设置的彩色滤光片、像素微透镜和光电转换层,相邻所述像素单元的彩色滤光片的颜色不同,相邻所述彩色滤光片之间、相邻所述像素微透镜之间和相邻所述光电转换层之间分别具有第一光学隔墙,所述第一光学隔墙为采用深槽隔离技术形成的结构。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,至少四个所述像素单元排布形成子像素结构,所述像素结构包括多个子像素结构,所述微透镜组件包括第一透镜单元,所述第一透镜单元由多个第一微透镜在同一平面内排布形成;其中,所述第一微透镜与所述子像素结构一一对应地相对设置,使所述第一微透镜相对的所述像素单元中至少具有两个颜色相同的所述彩色滤光片。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述子像素结构包括4个所述像素单元,4个所述像素单元呈2×2矩阵形式排列,其中一对对角设置的所述像素单元具有相同颜色的所述彩色滤光片。
4.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述子像素结构包括9个所述像素单元,9个所述像素单元呈3×3矩阵形式排列,在矩阵边缘上分布的所述像素单元中,相对的所述像素单元具有相同颜色的所述彩色滤光片。
5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,在所述像素单元中设置有第二光学隔墙,所述第二光学隔墙由所述彩色滤光片延伸至所述光电转换层,且所述第二光学隔墙垂直于所述光电转换层;
所述第二光学隔墙至少将所述像素单元分隔成第一子单元和第二子单元,所述第一子单元和所述第二子单元由上至下分别具有所述彩色滤光片和所述像素微透镜,且所述第一子单元和所述第二子单元共用所述光电转换层。
6.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,所述第二光学隔墙嵌入所述光电转换层。
7.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述微透镜组件至少包括由上至下由依次排列的第二透镜单元和第三透镜单元。
8.根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于,所述第二透镜单元由多个第二微透镜在同一平面内排布形成,所述第三透镜单元由多个第三微透镜在同一平面内排布形成,所述第二微透镜和所述第三微透镜的形状和/或大小不同。
9.根据权利要求7所述的像素结构,其特征在于,所述第二透镜单元和所述第三透镜单元的制造材料为纳米材料。
10.一种图像传感器,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的像素结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的