[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202110367407.8 | 申请日: | 2021-04-06 |
公开(公告)号: | CN113097283A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 王凌飞;张伟;朱大勇;周韬;郑云蛟;赵天龙;涂杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 刘继富;丁芸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本申请实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置。显示面板,包括显示区域,显示区域包括屏下摄像头区域和非摄像头区域;显示面板包括:衬底基板;驱动电路,驱动电路形成在衬底基板上且处于非摄像头区域;透明ITO走线结构,透明ITO走线结构的一端连接驱动电路,另一端延伸至摄像头区域且形成平板部;阳极结构,阳极结构设置在平板部上。本申请实施例中的显示面板,由于阳极结构直接形成在平板部上,因此,阳极结构无需设置延长部,这样就可以减小阳极结构的尺寸,从而降低阳极结构对显示面板的摄像头区域的透光率的影响,进而有利于提高摄像头的成像清晰度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息,其并不必然是现有技术。
显示产品(例如手机等)全面屏时代已经有几年时间了,目前全面屏设计还存在不少弊端,例如,全面屏需要解决屏下摄像头的问题。
在相关技术中,处于显示面板的摄像头区域的阳极结构通过信号线与处于非摄像头区域的驱动电路连接。为了提高摄像头区域的透光率,以提高摄像头的成像清晰度,现有的一些方案以透明的ITO(氧化铟锡)走线作为信号线,这样可以在一定程度上提高显示面板的摄像头区域的透光率。然而,由于阳极结构对光具有反射作用,因此阳极结构对摄像头区域的透光率有明显的影响。如何降低阳极结构对摄像头区域的透光率的影响,是目前亟需解决的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,能够降低阳极结构对摄像头区域的透光率的影响,从而提高摄像头的成像清晰度。
本申请第一方面的实施例提出了一种显示面板,包括显示区域,所述显示区域包括屏下摄像头区域和非摄像头区域;所述显示面板包括:
衬底基板;
驱动电路,所述驱动电路形成在所述衬底基板上且处于所述非摄像头区域;
透明ITO走线结构,所述透明ITO走线结构的一端连接所述驱动电路,所述透明ITO走线结构的另一端延伸至所述摄像头区域且形成平板部;
阳极结构,所述阳极结构设置在所述平板部上。
在本申请的一些实施例中,所述阳极结构包括:
第一ITO层,所述第一ITO层形成在所述平板部上;
金属层,所述金属层形成在所述第一ITO层上;
第二ITO层,所述第二ITO层形成在所述金属层上。
在本申请的一些实施例中,所述透明ITO走线结构包括至少一层透明ITO走线。
在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括至少一层第一平坦层,每一层所述透明ITO走线均形成在一层对应的第一平坦层上。
在本申请的一些实施例中,在所述第一平坦层上设置有第一过孔,所述第一过孔配置为使所述透明ITO走线与所述驱动电路连接,或使相邻的两层所述透明ITO走线连接。
在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括第二平坦层,所述第二平坦层设置在所述第一平坦层和所述透明ITO走线结构之上,在所述第二平坦层上设置有第二过孔,所述阳极结构设置在所述第二过孔之上并通过所述第二过孔与所述透明ITO走线结构连接。
在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括第三平坦层,所述第三平坦层设置在所述第二平坦层和所述阳极结构之上,所述第三平坦层上设置有用于使所述阳极结构的部分结构显露的第三过孔。
本申请第二方面的实施例提出了一种显示装置,包括上述任一实施例中的显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110367407.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的