[发明专利]存储器件及其形成方法

说明书

在一个实施例中，一种器件包括：一对介电层；以及介电层之间的字线，介电层的侧壁从字线的侧壁凹进；在字线的顶面、字线的侧壁、字线的底面和介电层的侧壁上的隧道带；隧道带上的半导体带；与半导体带的侧壁接触的位线；与半导体带的侧壁接触的源极线。本申请的实施例提供了存储器件及其形成方法。

技术领域

本申请的实施例涉及存储器件及其形成方法。

背景技术

作为示例，半导体存储器在用于电子应用的集成电路中使用，该电子应用包括无线电、电视、手机和个人计算器件。半导体存储器包括两个主要类别。一种是易失性存储器；另一种是非易失性存储器。易失性存储器包括随机存取存储器(RAM)，可以将其进一步分为两个子类别：静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。SRAM和DRAM都是易失性的，因为它们在不加电时会丢失存储的信息。

另一方面，非易失性存储器可以将数据存储在其上。一种类型的非易失性半导体存储器是铁电随机存取存储器(FeRAM)。FeRAM的优点包括快速的读写速度和小巧的体积。

发明内容

本申请的实施例提供一种方法，包括：在一对介电层之间形成字线；相比于所述字线的侧壁，凹进所述介电层的侧壁以暴露所述字线的顶面和底面；在所述介电层的侧壁以及所述字线的所述顶面、所述底面和所述侧壁上形成隧道带；在所述隧道带上形成半导体带；以及形成接触所述半导体带的位线和源极线。

本申请的实施例还提供一种器件，包括：一对介电层；字线，位于所述介电层之间，所述介电层的侧壁相比于所述字线的侧壁凹进；隧道带，位于所述字线的顶面、所述字线的所述侧壁、所述字线的底面和所述介电层的所述侧壁上；半导体带，位于所述隧道带上；位线，接触所述半导体带的侧壁；以及源极线，接触所述半导体带的所述侧壁。

本申请的实施例提供一种器件，包括：第一字线；介电层，位于所述第一字线上；第二字线，位于所述介电层上；半导体带，具有沿所述第一字线的侧壁的第一部分、沿所述介电层的侧壁的第二部分、以及沿所述第二字线的侧壁的第三部分；位线，接触所述半导体带的所述第一部分和所述第三部分；以及隔离区域，位于所述位线和所述半导体带的所述第二部分之间。

本申请的实施例提供了三维存储器件和方法。

附图说明

当结合附图阅读时，根据以下详细描述可以最好地理解本公开的各方面。注意，根据工业中的标准实践，各种部件未按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，各种部件的尺寸可以任意增加或减小。

图1是随机存取存储器的框图。

图2A和图2B是存储器阵列的各种视图。

图3至图11D是根据一些实施例的制造存储器阵列的中间阶段的各种视图。

图12A至图13C是根据各种实施例的存储器阵列的截面图

图14至图17C是根据一些其他实施例的制造存储器阵列52的中间阶段的各种视图。

图18A至图18C是根据一些其他实施例的存储器阵列的各种视图。

图19是根据一些实施例的半导体器件的截面图。

具体实施方式

以下公开提供了用于实现本发明的不同部件的许多不同的实施例或示例。以下描述组件和布置的特定示例以简化本公开。当然，这些仅是示例，并不旨在进行限制。例如，在下面的描述中，在第二部件之上或之上的第一部件的形成可以包括第一和第二部件直接接触形成的实施例，并且还可以包括在第二部件之间形成附加部件的实施例。第一和第二部件，使得第一和第二部件可以不直接接触。另外，本公开可以在各个示例中重复参考数字和/或字母。该重复是出于简单和清楚的目的，并且其本身并不指示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。