[发明专利]存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成存储器件的方法，包括：

在一对介电层之间形成字线；

相比于所述字线的侧壁，凹进所述介电层的侧壁以暴露所述字线的顶面和底面；

在所述介电层的侧壁以及所述字线的所述顶面、所述底面和所述侧壁上形成隧道带；

在所述隧道带上形成半导体带；以及

形成接触所述半导体带的位线和源极线。

2.根据权利要求1所述的形成存储器件的方法，还包括：

在多层堆叠件中形成沟槽，所述多层堆叠件包括所述介电层，其中凹进所述介电层的所述侧壁使所述沟槽膨胀以形成侧壁凹部，所述隧道带和所述半导体带均延伸到所述侧壁凹部内；以及

在所述沟槽和所述侧壁凹部中沉积第一隔离区。

3.根据权利要求2所述的形成存储器件的方法，其中形成所述位线和所述源极线包括：

将所述第一隔离区域的位于所述侧壁凹部外的第一部分替换为导线，第二部分保留在所述侧壁凹部中；以及

形成将所述导线分为所述位线和所述源极线的第二隔离区。

4.根据权利要求2所述的形成存储器件的方法，其中，所述多层堆叠件还包括位于所述介电层之间的牺牲层，并且其中，形成所述字线包括：

将所述牺牲层替换为所述字线。

5.根据权利要求1所述的形成存储器件的方法，其中凹进所述介电层的所述侧壁包括：

用蚀刻工艺蚀刻所述介电层，所述蚀刻工艺以比所述字线的导电材料更快的速率去除所述介电层的介电材料。

6.根据权利要求5所述的形成存储器件的方法，其中，所述蚀刻工艺将所述介电层的宽度减小了60％至80％。

7.根据权利要求5所述的形成存储器件的方法，其中，所述蚀刻工艺包括用稀氢氟酸执行的湿蚀刻，所述湿蚀刻形成侧壁凹部，所述侧壁凹部均具有在30nm至40nm范围内的深度。

8.根据权利要求1所述的形成存储器件的方法，其中，所述隧道带接触所述介电层的所述侧壁以及所述字线的所述顶面、所述底面和所述侧壁。

9.一种存储器件，包括：

一对介电层；

字线，位于所述介电层之间，所述介电层的侧壁相比于所述字线的侧壁凹进；

隧道带，位于所述字线的顶面、所述字线的所述侧壁、所述字线的底面和所述介电层的所述侧壁上；

半导体带，位于所述隧道带上；

位线，接触所述半导体带的侧壁；以及

源极线，接触所述半导体带的所述侧壁。

10.一种存储器件，包括：

第一字线；

介电层，位于所述第一字线上；

第二字线，位于所述介电层上；

半导体带，具有沿所述第一字线的侧壁的第一部分、沿所述介电层的侧壁的第二部分、以及沿所述第二字线的侧壁的第三部分；

位线，接触所述半导体带的所述第一部分和所述第三部分；以及

隔离区域，位于所述位线和所述半导体带的所述第二部分之间。