[发明专利]用于高发热量芯片镍钯金线键合与锡植球共同封装结构

说明书

本公开提供了一种用于高发热量芯片镍钯金线键合与锡植球共同封装结构，包括：基板、带封装芯片和传输线；待封装芯片的第一表面与基板通过锡植球封装结构连接，待封装芯片的第二表面与基板通过镍钯金线键合封装结构连接；连接线分别与锡植球封装结构和镍钯金线键合封装结构连接，用于传输电流或者信号。本公开采用锡植球与镍钯金键合共用的方式，既使得封装具有高稳定性又尽可能缩小封装面积，可以将基板或者下层芯片上走线布置的更加密集，能够适用未来芯片需要集合高工作温度、微型化的发展趋势。

技术领域

本公开涉及芯片封装领域，尤其涉及一种用于高发热量芯片镍钯金线键合与锡植球共同封装结构。

背景技术

现在针对芯片封装的方式主要集中在锡植球与镍钯金线键合，但通常都是只使用一种方式，即采用锡植球的封装方式或采用金线键合的方式。

如果采用锡植球的封装方式，对于高发热量的芯片，其芯片附近工作温度大致在150-200摄氏度，但是焊锡的熔点为183摄氏度，这样的封装在长期使用的过程中容易脱落，造成其可靠性不高的问题。

如果采用金线键合的方式，用于金线键合的板上焊盘面积远远大于采用锡植球封装方式，采用这种封装方式使得封装面积大大增加，不符合现在追求微型化的大趋势。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本公开提供了一种用于高发热量芯片镍钯金线键合与锡植球共同封装结构，以解决以上所提出的技术问题。

(二)技术方案

根据本公开的一个方面，提供了一种用于高发热量芯片镍钯金线键合与锡植球共同封装结构，包括：

基板；

待封装芯片，所述待封装芯片的第一表面与所述基板通过锡植球封装结构连接，所述待封装芯片的第二表面与所述基板通过镍钯金线键合封装结构连接；以及

连接线，分别与所述锡植球封装结构和所述镍钯金线键合封装结构连接，所述传输线用于传输电流或者信号。

在本公开的一些实施例中，所述锡植球封装结构包括：

第一锡植球焊盘，与所述基板连接；所述第一锡植球焊盘与传输线连接；

第二锡植球焊盘，与所述待封装芯片的第一表面连接，且与所述第一锡植球焊盘相对；以及

锡植球，同时与所述第一锡植球焊盘和所述第二锡植球焊盘连接。

在本公开的一些实施例中，所述镍钯金线键合封装结构包括：

第一金线键合焊盘，与所述基板连接；所述第一金线键合焊盘与传输线连接；

第二金线键合焊盘，与所述待封装芯片的第二表面连接；以及

键合金线，所述键合金线的第一端与所述第一金线键合焊盘连接，所述键合金线的第二端与所述第二金线键合焊盘连接。

在本公开的一些实施例中，所述待封装芯片的第一表面、所述待封装芯片的第二表面和所述基板平行设置。

在本公开的一些实施例中，还包括：布线装置，贯通设置在所述基板内，且所述传输线穿设于所述布线装置。

在本公开的一些实施例中，所述布线装置包括：第一传输孔，所述第一传输孔两端贯通设置在所述基板内。

在本公开的一些实施例中，所述布线装置包括：

第二传输孔，所述第二传输孔第一端贯通设置在所述基板的第一表面；汇流排，与所述第二传输孔第二端贯通连接；以及

第三传输孔，所述第三传输孔第一端与所述汇流排贯通连接；所述第三传输孔第二端与所述基板的第二表面贯通连接。