[发明专利]成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其特征在于，

所述成膜装置具备：

群集型的第一单元，所述第一单元具有第一传送机构以及配设在所述第一传送机构的周围且包括对基板形成第一膜的第一成膜室的多个成膜室；

群集型的第二单元，所述第二单元具有第二传送机构以及配设在所述第二传送机构的周围且包括对所述基板形成与所述第一膜重叠的第二膜的第二成膜室的多个成膜室；

连结室，所述连结室配设于从所述第一单元至所述第二单元的所述基板的传送路径，将两个群集型的单元连结；及

第一测定部，所述第一测定部的至少一部分设置于所述连结室，测定成膜于所述基板的膜的厚度。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述连结室具有：

位置取得机构，所述位置取得机构取得配置在所述连结室的内部的基板的在所述连结室中的位置的信息；及

移动机构，所述移动机构基于通过所述位置取得机构取得的所述位置的信息，使所述基板在所述连结室的内部移动。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，

所述移动机构基于所述位置的信息而使所述基板向测定位置移动，

在进行了基于所述移动机构的所述基板的移动之后，所述第一测定部进行成膜于所述基板的膜的厚度的测定。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述第一测定部光学地测定成膜于所述基板的膜的厚度。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜装置具备第二测定部，所述第二测定部的至少一部分设置于所述第一成膜室，测定在所述第一成膜室收容的基板上成膜的膜的厚度。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜装置具备晶体振荡式的成膜率监视器，所述成膜率监视器的至少一部分设置于所述第一成膜室，测定来自蒸发源的成膜材料的放出量。

7.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜装置具备控制部，所述控制部基于通过所述第一测定部测定的膜的厚度，控制所述第一成膜室的成膜条件及所述第二成膜室的成膜条件中的至少一方。

8.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜装置还具备控制部，所述控制部基于通过所述第一测定部测定的膜的厚度和通过所述第二测定部测定的膜的厚度，控制所述第一成膜室的成膜条件及所述第二成膜室的成膜条件中的至少一方。

9.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，

所述成膜装置还具备控制部，所述控制部基于通过所述第一测定部测定的膜的厚度和通过所述成膜率监视器测定的成膜材料的放出量，控制所述第一成膜室的成膜条件及所述第二成膜室的成膜条件中的至少一方。

10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述基板具有形成元件的元件区域和与所述元件区域不同的测定区域，

在通过所述第一成膜室进行的成膜中，在所述元件区域及所述测定区域分别形成所述第一膜，

所述第一测定部测定形成于所述测定区域的所述第一膜的厚度。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的成膜装置，其特征在于，

所述连结室包括能够收容多个基板的缓冲室、用于改变基板的朝向的回旋室以及用于交接基板的通路室，

所述第一测定部的所述至少一部分设置于所述通路室。

12.根据权利要求11所述的成膜装置，其特征在于，

在所述传送路径中，从上游侧开始依次配置有所述缓冲室、所述回旋室及所述通路室，

所述通路室与由所述连结室连结的所述两个群集型的单元中的下游侧的群集型的单元相邻配置。