[发明专利]一种图像传感器的制作方法

说明书

本发明提供了一种图像传感器的制作方法，提供一晶圆，所述晶圆上形成有芯片区域，所述芯片区域包括电路区域和像素区域，所述像素区域外环绕设置所述电路区域，所述电路区域形成有晶体管和铝焊盘，所述铝焊盘环绕设置于所述晶体管的外围；所述铝焊盘的表面形成有结晶缺陷；在所述晶圆上形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述像素区域和所述电路区域的晶体管，并暴露出所述电路区域的铝焊盘；去除所述铝焊盘的表面上的结晶缺陷；进行湿法清洗工艺，以去除所述铝焊盘表面的氟离子；进行氧化工艺，以在所述铝焊盘的表面上形成氧化膜，防止所述铝焊盘的表面再次产生结晶缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种图像传感器的制作方法。

背景技术

在现代的集成电路工艺中，集成电路的芯片焊盘(pad)通常采用铝焊盘(Al Pad)，铝焊盘是集成电路与外界的连接界面，集成电路可以通过铝焊盘与外界形成金属连接。铝焊盘的制造流程中，通常需要对铝焊盘表面的覆盖层进行干法刻蚀，在此道干刻工艺中，因为使用了含氟的聚合物，所以会产生含氟的残留物。而代工厂或测试厂的环境中，往往是含有水汽，一般代工厂或测试厂的环境相对湿度在40％-50％，氟离子会与环境中的水气发生化学反应，生成氟化氢，从而导致铝焊盘表面同时生成氟化铝以及氢氧化铝。氟化铝以及氢氧化铝均为铝焊盘晶体缺陷(crystal defect)。

芯片焊盘上的结晶缺陷(crystal defect)是对半导体器件良率影响最大的缺陷之一，它会引起封装阶段的引线键合工艺失效或可靠性下降，从而造成晶圆废片，目前，对于去除铝焊盘上的结晶缺陷的最有效方案是通过多次湿法清洗进行去除，但是对于图像传感器类芯片，其像素区域有着独特的设计与工艺要求，这种湿法清洗图像传感器的制作方法的方案会直接影响像素区域表面的氧化膜厚度，进而影响像素区域的感光性能，导致产品失效。对此，目前尚无很好的解决办法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种图像传感器的制作方法，以解决晶圆封装阶段的引线键合工艺失效以及可靠性下降的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种图像传感器的制作方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆上形成有芯片区域，所述芯片区域包括电路区域和像素区域，所述像素区域外环绕设置所述电路区域，所述电路区域形成有晶体管和铝焊盘，所述铝焊盘环绕设置于所述晶体管的外围；

在形成有所述铝焊盘的所述晶圆表面形成芯片保护层；

采用干法刻蚀工艺去除所述铝焊盘顶部的所述芯片保护层，所述干法刻蚀工艺采用的刻蚀气体包括含氟气体，所述干法刻蚀工艺中氟残留在所述铝焊盘的表面上，所述铝焊盘的表面形成有结晶缺陷；

在所述晶圆上形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述像素区域和所述电路区域的晶体管，并暴露出所述电路区域的铝焊盘；

去除所述铝焊盘的表面上的结晶缺陷；

进行湿法清洗工艺，以去除所述铝焊盘表面的氟离子；

进行氧化工艺，以在所述铝焊盘的表面上形成氧化膜，防止所述铝焊盘的表面再次产生结晶缺陷。

可选的，采用干法刻蚀工艺去除所述铝焊盘的表面上的结晶缺陷。

可选的，所述干法刻蚀工艺的气体为CF₄。

可选的，所述干法刻蚀工艺的工艺时间为40秒-80秒。

可选的，采用灰化工艺去除所述像素区域和所述电路区域的晶体管上的所述图形化的光刻胶。

可选的，所述湿法清洗工艺采用的溶液为EKC溶液。

可选的所述湿法清洗工艺的溶液中EKC和水的体积配比为1:10至1:15。