[发明专利]红光发光二极管外延片及其制备方法

说明书

本公开提供了红光发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在p型AlInP限制层上依次生长p型AlGaAs欧姆接触层与p型AlGaAs电流扩展层。p型AlGaAs欧姆接触层与p型AlInP限制层欧姆接触层的晶格常数接近，将p电极制备在质量较好的p型AlGaAs欧姆接触层上，可以保证p电极与p型AlGaAs欧姆接触层之间具有良好的连接。p型AlGaAs欧姆接触层之后的p型AlGaAs电流扩展层，在p型AlGaAs欧姆接触层上生成质量更好的p型AlGaAs电流扩展层进行过渡，提高p型AlGaAs电流扩展层上生长的p型AlGaInP过度层的质量。

技术领域

本公开涉及发光二极管制作领域，特别涉及一种红光发光二极管外延片及其制备方法。

背景技术

红光发光二极管是一种重要的光源器件，广泛应用于室外照明及汽车尾灯等方面，红光发光二极管外延片则是用于制备红光发光二极管的基础结构。红光发光二极管外延片通常包括衬底及依次层叠在衬底上的n型AlGaInP电流扩展层、n型AlInP限制层、发光层、p型AlInP限制层、p型AlGaInP过度层，p型GaP缓冲层(p电极欧姆接触层)与p型GaP电流扩展层。

由于GaP材料与AlInP材料之间晶格失配度大，导致在p型AlGaInP过度层之后的GaP材料质量差，后续生长的p型GaP缓冲层质量较差，直接影响到p电极的连接与制备。

发明内容

本公开实施例提供了红光发光二极管外延片及其制备方法，能够提高发光层的晶体质量以保证p电极的连接与制备。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种红光发光二极管外延片，所述红光发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型AlGaInP电流扩展层、n型AlInP限制层、发光层、p型AlInP限制层、p型AlGaAs欧姆接触层、p型AlGaAs电流扩展层、p型AlGaInP过度层、p型GaP电流扩展层。

可选地，所述p型AlGaAs欧姆接触层的厚度为500～1000nm。

可选地，所述p型AlGaAs欧姆接触层中Al组分为40～60％。

可选地，所述p型AlGaAs电流扩展层的厚度大于所述p型AlGaAs欧姆接触层的厚度。

可选地，所述p型AlGaAs欧姆接触层中的Al组分，小于所述p型AlGaAs电流扩展层中Al组分。

可选地，所述p型AlGaAs电流扩展层的厚度为4～5um。

可选地，所述p型AlGaAs电流扩展层中Al组分为40～60％。

可选地，所述p型AlGaAs欧姆接触层中掺有碳，所述p型AlGaAs电流扩展层掺有镁。

可选地，所述p型AlGaInP过度层的厚度为20～30nm。

本公开实施例提供了一种红光发光二极管外延片制备方法，所述红光发光二极管外延片制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型AlGaInP电流扩展层；

在所述n型AlGaInP电流扩展层上生长n型AlInP限制层；

在所述n型AlInP限制层上生长发光层；

在所述发光层上生长p型AlInP限制层；

在所述p型AlInP限制层上生长p型AlGaAs欧姆接触层；

在所述p型AlGaAs欧姆接触层上生长p型AlGaAs电流扩展层；

在所述p型AlGaAs电流扩展层上生长p型AlGaInP过度层；