[发明专利]红光发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110311944.0 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113224214B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 邢振远;李彤;王世俊;曹敏;孙建建 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红光 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种红光发光二极管外延片，其特征在于，所述红光发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型AlGaInP电流扩展层、n型AlInP限制层、发光层、p型AlInP限制层、p型AlGaAs欧姆接触层、p型AlGaAs电流扩展层、p型AlGaInP过度层与p型GaP电流扩展层，所述p型AlGaAs欧姆接触层中Al组分为40~60%，所述p型AlGaAs欧姆接触层中的Al组分，小于所述p型AlGaAs电流扩展层中Al组分，所述p型AlGaAs电流扩展层中Al组分为40~60%。
2.根据权利要求1所述的红光发光二极管外延片，其特征在于，所述p型AlGaAs欧姆接触层的厚度为500~1000nm。
3.根据权利要求1或2所述的红光发光二极管外延片，其特征在于，所述p型AlGaAs电流扩展层的厚度大于所述p型AlGaAs欧姆接触层的厚度。
4.根据权利要求1或2所述的红光发光二极管外延片，其特征在于，所述p型AlGaAs电流扩展层的厚度为4~5um。
5.根据权利要求1或2所述的红光发光二极管外延片，其特征在于，所述p型AlGaAs欧姆接触层中掺有碳，所述p型AlGaAs电流扩展层掺有镁。
6.根据权利要求1或2所述的红光发光二极管外延片，其特征在于，所述p型AlGaInP过度层的厚度为20~30nm。
7.一种红光发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述红光发光二极管外延片制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型AlGaInP电流扩展层；
在所述n型AlGaInP电流扩展层上生长n型AlInP限制层；
在所述n型AlInP限制层上生长发光层；
在所述发光层上生长p型AlInP限制层；
在所述p型AlInP限制层上生长p型AlGaAs欧姆接触层；
在所述p型AlGaAs欧姆接触层上生长p型AlGaAs电流扩展层，所述p型AlGaAs欧姆接触层中Al组分为40~60%，所述p型AlGaAs欧姆接触层中的Al组分，小于所述p型AlGaAs电流扩展层中Al组分，所述p型AlGaAs电流扩展层中Al组分为40~60%；
在所述p型AlGaAs电流扩展层上生长p型AlGaInP过度层；
在所述p型AlGaInP过度层上生长p型GaP电流扩展层。
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