[发明专利]贴装芯片结构及其制备方法在审
申请号: | 202110309062.0 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN113130331A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 王晨歌;周琪;张兵 | 申请(专利权)人: | 浙江臻镭科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 佟婷婷 |
地址: | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种芯片贴装结构及制备方法,制备方法包括:在基板上贴装芯片,在芯片周围制作隔离层,隔离层中预留气体进口和气体出口,在气体进口处涂底填胶材料,在气体出口处施加负压,基于空气压力使底填胶材料流入芯片组件底部形成底部填充胶。本发明通过在隔离层中制备气体进口和气体出口,在气体进口处涂底填胶材料,气体出口施加负压,通过增加负压使底部填胶在气压的作用下被压入芯片底部,能够减小底填胶的填充难度。本发明工艺简单,可以解决难以在芯片底部形成有效底部填充的问题,有利于解决填充气泡的问题,提高工艺效率及产品良率。本发明的方式还可以有效解决对于某一芯片只需要在特定区域填充的问题,以对芯片底部灵活填充。
技术领域
本发明属于半导体技术领域,特别是涉及一种贴装芯片结构及其制备方法,特别适用大尺寸贴装芯片结构及其制备。
背景技术
芯片的底部贴装技术是现在芯片跟终端互联的主要方式,为了防止芯片跟基板之间的应力差异较大导致焊接焊球断裂,往往需要在芯片跟基板之间做底部胶填充处理。
但是,随着芯片尺寸越来越大,底部填充胶要完全占据芯片底部的空间已经非常困难,如果有大量气泡嵌在芯片底部的填充胶里,在后续的热工艺和可靠性实验中,气泡可能会冲破芯片导致模组损坏。另外,对于某一芯片只需要在某些位置填充的问题也难以有效解决。
因此,如何提供一种贴装芯片结构及其制备方法以解决现有技术中的上述问题实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种贴装芯片结构及其制备方法,用于解决现有技术中难以在芯片底部形成有效底部填充以及对于某一芯片难以实现只需要在某些位置填充等问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种贴装芯片结构的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
提供基板;
将待封装芯片贴装在所述基板上;
在所述基板上制作隔离层,所述隔离层位于所述待封装芯片的外围;
其中,至少所述隔离层、所述待封装芯片以及所述基板之间形成腔体,且所述隔离层上设置有连通所述腔体与外界的气体进口及气体出口;
在所述气体进口处涂底填胶材料,在所述气体出口处施加负压,以基于空气压力使所述底填胶材料流入所述待封装芯片组件底部,形成底部填充胶;
去除所述隔离层,得到所述贴装芯片结构。
可选地,所述待封装芯片的尺寸介于20×20mm~50×50mm之间。
可选地,所述隔离层的材料包括环氧树脂胶、热固性胶体、热敏性胶体及光刻胶中的至少一种。
可选地,所述气体出口的数量为一个,所述气体进口的数量为至少一个。
可选地,所述待封装芯片包括至少一个填充区及至少一个空白区,其中,所述气体进口及所述气体出口设置在所述填充区,使得对应所述填充区形成所述底部填充胶,对应所述空白区形成间隙。
可选地,所述填充区分布在所述待封装芯片的外围,所述空白区分布在所述待封装芯片组件的内部。
另外,本发明还提供一种大尺寸贴装芯片结构,所述贴装芯片结构优选采用本发明的制备方法制备得到,当然,也可以采用其他方法制备,所述大尺寸贴装芯片结构包括:
基板;
待封装芯片,贴装在所述基板上;
底部填充胶,形成在所述待封装芯片与所述基板之间,所述底部填充胶形成在需要填充的待封装芯片与所述所述基板的区域之间,且所述底部填充胶内部无气泡。
可选地,所述待封装芯片的尺寸介于20×20mm~50×50mm之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江臻镭科技股份有限公司,未经浙江臻镭科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110309062.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造