[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
申请号: | 202110205233.5 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN113363199A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 中川西学;前田幸治;居本伸二;山形基 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明提供能够高效地进行构成基片处理装置的载置台与制冷装置之间的热交换的、基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括:处理容器,其在内部具有载置基片的载置台和保持靶材的靶材保持件;制冷装置,以在其与上述载置台的下表面之间具有间隙的方式配置,具有制冷机和与上述制冷机层叠的制冷载热体;使上述载置台旋转的旋转装置;使上述载置台升降的第一升降装置;致冷剂流路,其设置在上述制冷装置的内部,对上述间隙供给致冷剂;和冷量传递材料,其配置在上述间隙,与上述载置台和上述制冷载热体这两者可热传导地接触。
技术领域
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法
背景技术
专利文献1公开了一种构成处理装置的载置台结构,其包括:固定配置的制冷传热体;配置在制冷传热体的周围的可旋转的外筒;和与外筒连接且相对于制冷传热体的上表面具有间隙地配置的载置台。制冷传热体固定配置在制冷机之上,其上部配置于真空容器内,在制冷传热体的内部与间隙连通地形成有能够供冷却气体流通的冷却气体供给部。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-016771号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够高效地进行构成基片处理装置的载置台与制冷装置之间的热交换的基片处理装置和基片处理方法。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的基片处理装置包括:
处理容器,其在内部具有载置基片的载置台和保持靶材的靶材保持件;
制冷装置,以在其与上述载置台的下表面之间具有间隙的方式配置,具有制冷机和与上述制冷机层叠的制冷载热体;
使上述载置台旋转的旋转装置;
使上述载置台升降的第一升降装置;
致冷剂流路,其设置在上述制冷装置的内部,对上述间隙供给致冷剂;和
冷量传递材料,其配置在上述间隙,与上述载置台和上述制冷载热体这两者可热传导地接触。
发明效果
依照本发明,能够高效地进行构成基片处理装置的载置台与制冷装置之间的热交换。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理装置的一个例子的纵截面图。
图2是将构成基片处理装置的控制装置的硬件结构的一个例子与周边设备一起表示的图。
图3是图1的III部的放大图,是表示在载置台的下表面与制冷载热体的上表面之间的间隙配置有冷量传递材料的一个例子的状态的图。
图4是图1的III部的放大图,是表示在载置台的下表面与制冷载热体的上表面之间的间隙配置有冷量传递材料的另一个例子的状态的图。
附图标记说明
10:处理容器
11:靶材保持件
20:载置台
30:制冷装置
31:制冷机
35:制冷载热体
40:旋转装置
51:致冷剂供给流路(致冷剂流路)
90:冷量传递材料(粉体)
95:冷量传递材料(润滑脂)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造