[发明专利]半导体结构参数获取、检测标准的获取及检测方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构参数获取、检测标准的获取及检测方法，其中，半导体结构参数获取方法，包括：获取半导体结构，半导体结构包括衬底，以及位于衬底上的电容支撑结构，电容支撑结构中具有多个电容孔，电容孔在电容支撑结构的厚度方向上贯穿电容支撑结构；去除部分高度的电容支撑结构；获取测试图形，测试图形为剩余电容支撑结构顶部暴露出的图形；在测试图形中，基于预设方向获取预设位置的电容孔之间的间距；本发明实施例旨在提供一种快速且准确监测出产品异常的方法。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体结构参数获取、检测标准的获取及检测方法。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)通过以电容结构中存储电荷的方式存储数据，形成的电容结构的深宽比越大，电容结构的电容越大，可存储的电荷越多。

由于工艺的进步，DRAM的特征尺寸越来越小，刻蚀具有高深宽比的电容结构的难度越来越大，在形成高深宽比电容结构的过程中会形成刻蚀缺陷，从而导致形成的部分电容结构失效，影响半导体器件的良率。

传统的量测工艺通常是对晶圆产品进行探针测试，难以及时发现产品问题，导致大量线上产品出现良率问题，如何快速且精确地监控出产品的异常，是当下亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构参数获取、检测标准的获取及检测方法，旨在提供一种快速且准确监测出产品异常的方法。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种半导体结构参数获取方法，包括：获取半导体结构，半导体结构包括衬底，以及位于衬底上的电容支撑结构，电容支撑结构中具有多个电容孔，电容孔在电容支撑结构的厚度方向上贯穿电容支撑结构；去除部分高度的电容支撑结构；获取测试图形，测试图形为剩余电容支撑结构顶部暴露出的图形；在测试图形中，基于预设方向获取预设位置的电容孔之间的间距。

与相关技术相比，通过去除部分高度的电容支撑结构，将半导体结构的顶部图形向下转移获取测试图形，并获取测试图形中电容孔的间距，从而快速获取产品刻蚀后的电容孔的参数。

另外，去除设置高度的电容支撑结构之前，还包括以下步骤：形成位于电容孔侧壁的保护层。通过在电容孔侧壁形成保护层，防止在向下转移电容支撑结构顶部图形的过程中，造成对电容孔的破坏。

另外，形成位于电容孔侧壁的保护层，包括以下步骤：形成覆盖电容支撑结构顶部表面，且覆盖电容孔侧壁的保护膜；去除位于电容支撑结构表面的保护膜，形成位于电容孔侧壁的保护层。

另外，基于预设方向获取预设位置的电容孔之间的间距，包括：在测试图形中，基于预设方向获取预设位置的电容孔的偏移距离，偏移距离用于表征电容孔的位置偏移量。通过电容孔的偏移距离作为测试数据，使获取的数据更具备准确性。

另外，基于预设方向获取预设位置的电容孔的偏移距离，包括以下步骤：在测试图形中确定测量区间，测量区间中包括M行*N列的电容孔，M和N为大于等于2的自然数；获取测量区间中相邻电容孔之间的间距；基于预设方向上，单列/行中多个间距中的最大值和最小值，获取偏移极差，偏移极差为间距中的最大值和最小值之差；获取偏移距离，偏移距离为多个偏移极差的平均值。

另外，在去除部分高度的电容支撑结构的过程中，包括：获取电容支撑结构顶部暴露出的图形中电容孔的尺寸变化量，尺寸变化量用于表征在去除部分高度的电容支撑结构的过程中，电容孔的尺寸变化的数值。

另外，获取电容支撑结构顶部暴露出的图形中电容孔的尺寸变化量，包括以下步骤：基于半导体结构中每个电容孔的尺寸，在去除部分高度的电容支撑结构的过程中，获取每个电容孔的尺寸变化的最大值；基于电容孔的尺寸变化的最大值，获取尺寸变化量，所述尺寸变化量为多个所述电容孔的尺寸变化的最大值的平均值。