[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效

专利信息
申请号: 202011144145.0 申请日: 2016-06-03
公开(公告)号: CN112255889B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 林圣人;野口耕平;饭塚建次;饭田成昭 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置 方法
【说明书】:

本发明提供在包括多个流体供给路径的基板处理装置中,当检测流过各供给路径的流体所包含的异物时能够防止装置的大型化和制造成本上升的技术。该基板处理装置包括:测定用的流路部,其为要供给到基板的流体的多个供给路径各自的一部分,构成流体中的异物的测定区域,彼此排成列地设置;光照射部,共用于上述多个流路部,用于在上述流路部形成光路;移动机构,为了在上述多个流路部中所选择的流路部内形成光路,使上述光照射部沿着上述流路部的排列方向相对移动;受光部,包括用于接收透射上述流路部的光的受光元件;和检测部,用于基于从上述受光元件输出的信号检测上述流体中的异物。由此,能够减小必要的光照射部的数量,并实现装置的缩小化。

技术领域

本发明涉及对基板供给流体来对该基板进行处理的基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

在半导体器件的制造步骤中的光刻步骤中,对半导体晶圆(以下记作晶圆)供给抗蚀剂等各种药液来处理晶圆。像这样供给药液处理晶圆的药液供给装置例如构成为包括药液的供给源、对晶圆排出药液的喷嘴和连接喷嘴和供给源的供给路径。

有时在流过上述供给路径的药液中混入颗粒或气泡等微小的异物。当在抗蚀剂等用于在晶圆进行成膜的药液中混入气泡时,形成于晶圆的膜中可能产生缺陷,当混入颗粒时,在光刻步骤后的蚀刻步骤中,该颗粒有可能作为不期望的掩模发挥作用。当发生这样的成膜的异常和蚀刻的异常时,半导体器件的成品率下降,所以正在研究检测上述供给路径中的药液所包含的异物。例如,在专利文献1中记载:在药液供给装置的供给路径设置照射激光的照射部和受光部构成的检测机构,光学地检测流过该供给路径的药液中的气泡的数量。另外,在专利文献2中记载有在药液供给装置的供给路径和喷嘴设置检测变形的传感器进行气泡的检测的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2004-327638号公报

专利文献2:日本特开2011-181766号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

然而,有时在一个药液供给装置中设置多个药液的供给路径。例如,作为药液供给装置,存在将作为药液的抗蚀剂涂布在晶圆上形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂布装置,在该装置中有时设置有多个抗蚀剂的供给路径,以能够在晶圆上涂布选自多个种类的抗蚀剂中的一种抗蚀剂。而且,在该抗蚀剂涂布装置中,如在本发明实施方式中所述的那样,有时还设置有对晶圆供给用于提高晶圆表面的润湿性的药液的供给路径。

像这样,在具有多个药液的供给路径的装置中,可以考虑能够给每个供给路径设置上述专利文献1中记载的光学的检测机构。然而,像这样给每个供给路径设置检测机构时,一般构成该检测机构的光学系统的尺寸比较大,所以导致药液供给装置大型化,装置的制造成本增加。在专利文献2中,也没有示出在药液供给装置具有多个供给路径的情况下,防止装置的大型化和制造成本的上升的对策。

说明了药液中混入异物的情况的问题,但在上述的药液供给装置等光刻步骤中使用的各种装置中,对晶圆的处理气氛供给气体。在该气体中混入异物的情况下,还可能与上述的药液中混入异物的情况一样发生异常。因此,也在研究对用于将该气体供给到处理气氛的供给路径中的异物进行检测。

本发明是鉴于这样的情况而做出的,其目的在于提供在包括对基板供给的流体所流过的多个供给路径的基板处理装置中,当检测流过各供给路径的流体所包含的异物时,能够防止装置的大型化和制造成本的上升的技术。

用于解决技术问题的方案

本发明的基板处理装置,用于对基板供给流体来对该基板进行处理,上述基板处理装置的特征在于,包括:

测定用的流路部,其为要供给到上述基板的流体的多个供给路径各自的一部分,构成流体中的异物的测定区域,彼此排成列地设置;

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