[发明专利]空穴传输层及其制作方法、钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 202010367037.3 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111640867A | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 苏州联诺太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48;H01L27/30 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 孔令聪 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空穴 传输 及其 制作方法 钙钛矿 硅基异质结叠层 太阳能电池 | ||
1.一种空穴传输层的制作方法，所述空穴传输层用于钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，其特征在于，空穴传输层的制作方法包括如下步骤：
采用原子层沉积技术在衬底上形成保护层；以及
采用磁控溅射技术在所述保护层上形成金属氧化物层，得到空穴传输层。
2.根据权利要求1所述的空穴传输层的制作方法，其特征在于，采用磁控溅射技术在所述保护层上形成金属氧化物层的步骤中，溅射气体为氩气或者氩气与氧气的混合气体；所述氩气与氧气的混合气体中，氧气的体积分数为0.01％～30％。
3.一种采用1或2所述的制作方法得到的空穴传输层，用于钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层包括层叠的保护层和金属氧化物层。
4.根据权利要求3所述的空穴传输层，其特征在于，所述保护层的材质选自氧化镍、钴酸锂、氧化铜、氧化钒、氧化铬与氧化钼中的至少一种。
5.根据权利要求3或4所述的空穴传输层，其特征在于，所述保护层的厚度为1nm～20nm。
6.根据权利要求3所述的空穴传输层，其特征在于，所述金属氧化物层的材质选自氧化镍、钴酸锂、氧化铜、氧化钒、氧化铬与氧化钼中的至少一种。
7.根据权利要求3或6所述的空穴传输层，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为1nm～200nm。
8.一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，其特征在于，包括钙钛矿电池与位于所述钙钛矿电池一侧的隧穿结，所述钙钛矿电池包括权利要求3～7中任一项所述的空穴传输层或者采用1或2所述的空穴传输层的制作方法得到的空穴传输层，所述空穴传输层的保护层位于所述隧穿结与所述金属氧化物层之间。
9.根据权利要求8所述的钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池，其特征在于，所述隧穿结为硅基薄膜隧穿结。
10.一种钙钛矿/硅基异质结叠层太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括1或2所述的空穴传输层的制作方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
