[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202010143670.4 申请日: 2020-03-04
公开(公告)号: CN111313235B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 梁栋;张成;翁玮呈;丁维遵;刘嵩 申请(专利权)人: 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/042
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 王华英
地址: 213000 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 垂直 发射 激光器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括,

外延结构,包括第一反射层,有源层及第二反射层;所述外延结构通过通孔隔绝形成多个发光单元;

多个第一沟槽,形成在所述外延结构上,并且贯穿所述外延结构;

多个第二沟槽,形成在所述多个第一沟槽之间,贯穿部分所述外延结构,暴露出所述第一反射层,将所述多个发光单元分成多个发光子单元,每一所述发光子单元包括一发光孔;

绝缘层,部分所述绝缘层形成在所述多个第一沟槽及所述多个第二沟槽的底面和侧壁上,部分绝缘层位于所述第一反射层的部分背面上,部分所述绝缘层位于所述第二反射层上且不遮挡所述发光孔;

第一电极,形成在所述第一反射层的背面上无所述绝缘层的区域上,多个所述发光单元通过所述第一电极连接,以形成公共阳极;

第二电极,包括第一金属电极和第二金属电极,所述第一金属电极位于所述第二反射层上,与所述第二反射层上的所述绝缘层的高度相等,部分所述第二金属电极位于所述第二反射层上的所述绝缘层上和所述第一金属电极上,部分所述第二金属电极形成在所述多个第一沟槽及所述多个第二沟槽内的绝缘层上,通过所述第一金属电极和所述第二金属电极形成所述第二电极,所述第二电极形成在所述发光孔的外周,未遮挡所述发光孔,所述第一金属电极与所述第二沟槽内的所述第二金属电极连接,以实现所述发光单元内的两个所述发光子单元的连接,所述多个发光单元的所述第二电极是分开的,形成多个相互独立的阴极;

其中,位于所述第一反射层背面的所述绝缘层上的所述第二金属电极通过所述第一沟槽内的所述第二金属电极与所述第二反射层上的所述第二金属电极连接,以与所述第一金属电极连接。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,还包括透明衬底,所述透明衬底位于所述第二电极上,且所述透明衬底远离所述第一电极。

4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述透明衬底通过多个粘结材料设置在所述第二电极上,所述粘结材料的长度小于或等于所述第二电极的长度。

5.一种垂直腔面发射激光器的制造方法,其特征在于,包括,

提供一外延结构,所述外延结构包括第一反射层,有源层及第二反射层,所述外延结构通过通孔隔绝形成多个发光单元;

形成多个第一沟槽于所述外延结构上,所述第一沟槽贯穿所述外延结构;

形成多个第二沟槽于所述多个第一沟槽之间,所述第二沟槽贯穿部分所述外延结构,暴露出所述第一反射层,将所述多个发光单元分成多个发光子单元,每一所述发光子单元包括一发给孔;

形成绝缘层于所述外延结构上,部分所述绝缘层形成在所述多个第一沟槽及所述多个第二沟槽的底面和侧壁上,部分绝缘层位于所述第一反射层的部分背面上,部分所述绝缘层位于所述第二反射层上且不遮挡所述发光孔;

形成第一电极于所述所述第一反射层的背面上无所述绝缘层的区域上,多个所述发光单元通过所述第一电极连接,以形成公共阳极;

形成第二电极于所述外延结构上,所述第二电极包括第一金属电极和第二金属电极,所述第一金属电极位于所述第二反射层上,与所述第二反射层上的所述绝缘层的高度相等,部分所述第二金属电极位于所述第二反射层上的所述绝缘层上和所述第一金属电极上,部分所述第二金属电极形成在所述多个第一沟槽及所述多个第二沟槽内的绝缘层上,通过所述第一金属电极和所述第二金属电极形成所述第二电极,所述第二电极形成在所述发光孔的外周,未遮挡所述发光孔,所述第一金属电极与所述第二沟槽内的所述第二金属电极连接,以实现所述发光单元内的两个所述发光子单元的连接,所述多个发光单元的所述第二电极是分开的,形成多个相互独立的阴极;

其中,位于所述第一反射层背面的所述绝缘层上的所述第二金属电极通过所述第一沟槽内的所述第二金属电极与所述第二反射层上的所述第二金属电极连接,以与所述第一金属电极连接。

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