[发明专利]半导体工艺方法有效
申请号: | 202010128668.X | 申请日: | 2020-02-28 |
公开(公告)号: | CN113327863B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 林光启;陈真;刘晨旭;邱文莹 | 申请(专利权)人: | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺 方法 | ||
1.一种半导体工艺方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)提供背景板,用定位标记点于背景板上形成矩形;
2)将晶圆背面朝上放置于定位标记点的矩形内,对晶圆和背景板拍照以得到类椭圆形的晶圆图片和定位标记点;
3)于图像编辑软件中对图片进行编辑,以用不同的颜色在图片上对应晶圆边缘缺口和缺陷的位置做标记;
4)图片识别分析找出图片上的晶圆边缘、缺陷、边缘缺口、定位标记点;
5)估计四边形4个顶点位置的定位标记点,然后利用拓扑同构算法识别4个顶点位置的定位标记点的像素中心并计算出透视变换矩阵,通过透视变换矩阵把定位标记点变换回与步骤1)尺寸相同的矩形;
6)用所述透视变换矩阵把缺陷和边缘缺口变换回原晶圆背面的位置,重建图片深度失真;
7)在图片中的晶圆的边缘缺口处于标准角度时,对晶圆进行镜面翻转,所述边缘缺口的标准角度为晶圆正下方;
8)于图像编辑软件中将晶圆的正面缺陷位置和背面缺陷位置进行叠加以识别出具有正面缺陷和背面缺陷中的至少一种的芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺方法,其特征在于:所述步骤1)中以定位标记点形成为正方形的矩形,晶圆放置于所述矩形中时,不挡住四个顶角位置的定位标记点。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺方法,其特征在于:所述背景板的颜色为绿色,所述定位标记点的颜色为红色,所述边缘缺口的标记颜色为蓝色。
4.根据权利要求1所述的半导体工艺方法,其特征在于:所述步骤4)中在RGB像素矩阵中进行图片识别分析找出图片上的晶圆边缘、缺陷、边缘缺口、定位标记点。
5.根据权利要求4所述的半导体工艺方法,其特征在于:所述步骤4)中采用二维图像聚类算法在RGB像素矩阵中进行图片识别分析找出图片上的晶圆边缘、缺陷、边缘缺口、定位标记点。
6.根据权利要求1所述的半导体工艺方法,其特征在于:所述步骤7)中依边缘缺口对齐后的Y轴对晶圆进行镜面翻转。
7.根据权利要求1所述的半导体工艺方法,其特征在于:所述步骤8)中将芯片的正面缺陷位置和背面缺陷位置进行叠加后还包括对晶圆的偏移量进行补偿的步骤,补偿方法包括将步骤8)后得到的图形与已标记正面缺陷的晶圆正面图形进行比对以得到偏移量,或者计算两个缺陷点之间的间距,并与实际的芯片间距进行比对以得到偏移量,然后再进行补偿。
8.根据权利要求1所述的半导体工艺方法,其特征在于:所述步骤2)中自晶圆斜上方对晶圆和背景板拍照。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造