[发明专利]衬底

权利要求书

1.衬底，所述衬底具有陶瓷基体(1)和位于所述陶瓷基体(1)的至少一个第一外部面(9)上的有机的表面结构(2)，其中，外部的再配线部(3)集成到所述有机的表面结构(2)中。

2.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述有机的表面结构(2)包括多个有机层。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的衬底，其中，所述有机的表面结构(2)的有机层分别包含不同的有机材料作为主要组成部分，所述有机材料从如下组中选择，所述组包括光刻胶和经填充的聚合物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底，其中，至少在所述陶瓷基体(1)的第一外部面(9)上施加有钝化层(12)和有机的表面结构(2)，其中，所述钝化层(12)处于所述陶瓷基体(1)的第一外部面(9)与所述有机的表面结构(2)之间并且包含无机材料作为主要组成部分，所述无机材料从如下组中选择，所述组包括SiO₂、AlN、SiN和玻璃。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的衬底，其中，所述陶瓷基体(1)具有超过8W/m∙K的导热性。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的衬底，其中，所述陶瓷基体(1)的主要组成部分从如下组中选择，所述组包括ZnO-Bi、ZnO-Pr、Al₂O₃和AlN。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的衬底，其中，所述陶瓷基体(1)包含功能陶瓷，所述功能陶瓷从如下组中选择，所述组包括压敏电阻陶瓷、NTC陶瓷和PTC陶瓷。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的衬底，其中，所述陶瓷基体具有内部的再配线部(6)和通孔(4)。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的衬底，其中，所述陶瓷基体(1)具有集成的过电压保护(7)。

10. 根据权利要求1至9中任一项所述的衬底，其中，所述有机的表面结构(2)具有如下热膨胀系数，所述热膨胀系数相应于所述陶瓷基体(1)的热膨胀系数，所述有机的表面结构的热膨胀系数与所述陶瓷基体的热膨胀系数相差最大±1 ppm/K。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的衬底，其中，所述陶瓷基体(1)包括多个陶瓷层。

12. 根据权利要求1至11中任一项所述的衬底，其中，所述陶瓷基体(1)完全或部分地嵌入到有机的电路板(8)中，其中，有机的电路板(8)的热膨胀系数相应于所述陶瓷基体(1)的热膨胀系数，所述有机的电路板的热膨胀系数与所述陶瓷基体的热膨胀系数相差最大±1 ppm/K。

13.根据权利要求12所述的衬底，其中，所述陶瓷基体(1)和所述有机的电路板(8)在至少一个外部面(11)处具有带有集成的外部的再配线部(3)的有机的表面结构(2)。

14.根据权利要求12或13所述的衬底，其中，所述有机的基体(1)和所述有机的电路板(8)借助于外部的再配线部(3)和/或内部的再配线部(6)导电地相互连接。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的衬底，其中，所述外部的再配线部(2)由第一金属组成，而所述内部的再配线部(6)由第二金属组成，其中，所述第一金属不同于所述第二金属。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的衬底，其中，所述第一金属和所述第二金属从如下金属组中选择，所述金属组包括铜和银。