[发明专利]一种高密度细晶粒无择优取向的W靶材及其制造方法

权利要求书

1.一种高密度细晶粒无择优取向的W靶材，其特征在于：所述W靶材相对密度≥99.5％，平均晶粒尺寸＜20μm。

2.一种权利要求1所述的高密度细晶粒无择优取向的W靶材的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)以W粉为原料，封装在包套内，并抽真空，然后通过热等静压烧结成形，得到W靶坯；

2)将W靶坯料去除包套，并进行二次热等静压烧结，得到所述W靶材。

3.根据权利要求2所述制造方法，其特征在于，所述步骤1)中W粉尺寸为0.2～0.7μm，包套厚度为2mm～3mm，包套材料为不锈钢或低碳钢。

4.根据权利要求2所述制造方法，其特征在于，所述步骤1)热等静压烧结工艺，温度为1250～1300℃，压力为180～200MPa，保温保压时间为4～6h。

5.根据权利要求2所述制造方法，其特征在于，所述步骤1)中W靶坯相对密度为94～96％，平均晶粒尺寸≤10μm。

6.根据权利要求2所述制造方法，其特征在于，所述步骤2)二次热等静压烧结工艺，温度为1900～2000℃，压力为190～200MPa，保温保压时间为1～2h。