[发明专利]半导体工艺方法

说明书

本发明涉及一种半导体工艺方法；包括如下步骤：调节工艺腔室内的腔室压力，使得工艺结束时腔室压力调节至预设压力，预设压力等于传片压力或低于传片压力且大于对工艺腔室实现最佳清洗效果时的最低腔室压力；于传片压力下将完成工艺处理后的晶圆从工艺腔室内传出。上述半导体工艺方法通过调节工艺腔室内的腔室压力以使得工艺结束时腔室压力调节等于或略低于传片压力，可以显著降低工艺时间及传片自动控压时间，从而有效提高设备产能，降低产品成本。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及一种半导体工艺方法。

背景技术

在现有很多半导体工艺(譬如，成膜工艺等)中在工艺结束后均需要使得工艺腔室内的腔室压力要明显低于传送晶圆所需的传片压力，以确保对工艺腔室达到最佳的清洗效果，且防止在将工艺处理后的晶圆从工艺腔室内传出时工艺腔室内的微粒反灌到设备中其他清洁的区域。然而，上述工艺方法中由于需要将工艺腔室内的腔室压力调节至较低的数值，需要较长的调节时间，从而导致工艺时间较长，进而影响设备的产能，导致产品成本的增加；同时，由于传片时需要工艺腔室内的腔室压力要达到传片压力，工艺结束时工艺腔室内的腔室压力于传片压力相差较大会导致传片自动控压时间较长，从而影响设备的产能，导致产品成本的增加。

又半导体行业由于需要投资大量的昂贵设备，加上产品更新快带来设备更新换代的要求，给企业带来巨大的资金压力和成本负担。因此，如何提高设备综合利用率，提升设备产能，降低产品成本成为在激烈的市场竞争中促进企业发展的必要选择。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术中工艺结束时需要将工艺腔室内的腔室压力调节至明显低于传片压力而导致的工艺时间较长、传片自动控压时间较长、设备产能较低及产品成本较高等问题，提供一种半导体工艺方法。

为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种半导体工艺方法，包括如下步骤：

调节工艺腔室内的腔室压力，使得工艺结束时腔室压力调节至预设压力，预设压力等于传片压力或低于传片压力且大于对工艺腔室实现最佳清洗效果时的最低腔室压力；

于传片压力下将完成工艺处理后的晶圆从工艺腔室内传出。

上述半导体工艺方法通过调节工艺腔室内的腔室压力以使得工艺结束时腔室压力调节等于或略低于传片压力，可以显著降低工艺时间及传片自动控压时间，从而有效提高设备产能，降低产品成本。

在其中一个实施例中，预设压力为所述传片压力的95％～100％。

在其中一个实施例中，预设压力低于传片压力时，将工艺处理后的晶圆从工艺腔室内传出之前还包括将工艺腔室内的腔室压力调节至传片压力的步骤。

在其中一个实施例中，工艺腔室包括反应腔室、冷却腔室或传送腔室。

在其中一个实施例中，工艺包括成膜工艺及成膜工艺后的清洗工艺，于清洗工艺过程中调节工艺腔室内的腔室压力，以使得清洗工艺结束时腔室压力调节至预设压力。

在其中一个实施例中，调节工艺腔室内的腔室压力，使得工艺结束时腔室压力调节至预设压力之前还包括如下步骤：

于传片压力下将待处理的晶圆传送至工艺腔室内；

将工艺腔室内的腔室压力调节至成膜工艺所需的成膜压力，于成膜压力下执行成膜工艺；

成膜工艺结束后使用清洗气体对工艺腔室进行清洗。

在其中一个实施例中，于传片压力下将完成工艺处理后的晶圆从工艺腔室内传出之后还包括如下步骤：重复上述步骤至少一次。

在其中一个实施例中，通过调节工艺腔室内的清洗气体流量、对工艺腔室内进行抽气的气泵的抽气速率及抽气时间中的至少一者，以使得工艺结束时腔室压力调节至预设压力。