[发明专利]一种蒸镀坩埚和蒸镀设备

说明书

本发明实施例公开了一种蒸镀坩埚和蒸镀装置，该蒸镀坩埚包括：坩埚主体；防爆沸板，设置于坩埚主体的开口处，或者设置于坩埚主体内且靠近坩埚主体的开口的预设位置处；防爆沸板与坩埚主体的侧壁之间存在间隙，且防爆沸板与坩埚主体的底部之间存在间隙；掩模体，掩模体朝向坩埚主体的一侧固定在防爆沸板背离坩埚主体的一侧；坩埚盖，盖合于坩埚主体的开口处，且与防爆沸板之间存在容纳空间；坩埚盖包括蒸镀口，蒸镀口与坩埚主体的开口连通；掩模体背离坩埚主体的一侧在防爆沸板上的垂直投影位于蒸镀口在防爆沸板上的垂直投影内，掩模体背离坩埚主体的一侧与蒸镀口之间的垂直距离小于或等于预设值。本发明实施例提供的技术方案，可改善膜厚均匀性。

技术领域

本发明涉及镀膜装置技术领域，尤其涉及一种蒸镀坩埚和蒸镀设备。

背景技术

在半导体器件或装置的制备过程中，示例性的，在有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)显示面板的制作过程中，通常会采用蒸镀工艺来形成膜层。在蒸镀工艺中，可将待蒸镀材料放在蒸镀坩埚内，然后对蒸镀坩埚加热，使待蒸镀材料受热气化，气化的待蒸镀成膜材料在待蒸镀衬底基板上沉积，从而在待蒸镀衬底基板上形成膜层。

但是，目前蒸镀形成的膜层，在膜层各不同位置处的膜厚差异较大，即膜厚均匀性较差。

发明内容

本发明提供一种蒸镀坩埚和蒸镀设备，以改善蒸镀工艺的膜厚均匀性。

第一方面，本发明实施例提供了一种蒸镀坩埚，该蒸镀坩埚包括：

坩埚主体；

防爆沸板，设置于所述坩埚主体的开口处，或者设置于所述坩埚主体内且靠近所述坩埚主体的开口的预设位置处；所述防爆沸板与所述坩埚主体的侧壁之间存在间隙，且所述防爆沸板与所述坩埚主体的底部之间存在间隙；

掩模体，所述掩模体朝向所述坩埚主体的一侧固定在所述防爆沸板背离所述坩埚主体的一侧；

坩埚盖，盖合于所述坩埚主体的开口处，且与所述防爆沸板之间存在容纳空间；所述坩埚盖包括蒸镀口，所述蒸镀口与所述坩埚主体的开口连通；

所述掩模体背离所述坩埚主体的一侧在所述防爆沸板上的垂直投影位于所述蒸镀口在所述防爆沸板上的垂直投影内，所述掩模体背离所述坩埚主体的一侧与所述蒸镀口之间的垂直距离小于或等于预设值。

第二方面，本发明实施例还提供了一种蒸镀设备，该蒸镀设备包括第一方面提供的蒸镀坩埚。

本发明实施例提供的蒸镀坩埚包括坩埚主体、防爆沸板、掩模体和坩埚盖，通过设置防爆沸板可防止待蒸镀材料突沸，可汇集蒸汽流，可保证蒸镀坩埚内待蒸镀材料分压稳定；通过设置掩模体，并设置掩模体与坩埚盖的蒸镀口之间的垂直距离小于或等于预设值，可利用掩模体调整蒸汽流由蒸镀口逸出时的蒸发角度，从而可使蒸镀口的不同位置处逸出的待蒸镀材料在衬底基板上的厚度互补叠加，可改善膜层厚度均匀性。

附图说明

图1为现有技术提供的一种蒸镀坩埚的蒸镀原理示意图；

图2为本发明实施例提供的一种蒸镀坩埚的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种蒸镀坩埚的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的蒸镀坩埚的蒸镀原理示意图；

图5为图2中坩埚盖与掩模体的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的又一种蒸镀坩埚的结构示意图；