[发明专利]体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法

说明书

本公开提供一种体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法，所述体声波谐振器包括：基板、第一层、第二层、膜层和谐振部。所述基板包括基板保护层。所述第一层设置在所述基板保护层上。所述第二层设置在所述第一层的外部。所述膜层与所述基板保护层和所述第一层形成腔。所述谐振部设置在所述膜层上。所述基板保护层和所述膜层中的任意一者或两者包括设置在所述腔中的突出部。

本申请要求于2018年9月18日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0111290号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种体声波谐振器以及制造体声波谐振器的方法。

背景技术

谐振器是指能量在特定频率下谐振的器件，并且可主要用于滤波器、振荡器、频率计数器等。尽管存在使用这种谐振器进行谐振的各种结构，但是近来，使用声波的谐振结构非常普及。

近年来，已采用了膜型谐振器，即，在比谐振部的位置低的位置形成气隙(例如，腔)的结构。

另一方面，当在谐振部与设置在比气隙的位置低的位置的基板之间发生结合时，会发生机械特性和电气特性的劣化。可能会存在这样的问题：在制造时，谐振部和设置在比气隙的位置低的位置的基板会彼此贴合并且相对于正常频率特性会被劣化，并且会产生噪音。

结果，有必要开发一种能够抑制谐振部与设置在比气隙的位置低的位置的基板之间的静摩擦的结构。

发明内容

提供本发明内容是为了以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总的方面，一种体声波谐振器包括：基板、第一层、第二层、膜层和谐振部。所述基板包括基板保护层。所述第一层设置在所述基板保护层上。所述第二层设置在所述第一层的外部。所述膜层与所述基板保护层和所述第一层形成腔。所述谐振部设置在所述膜层上。所述基板保护层和所述膜层中的任意一者或两者包括设置在所述腔中的突出部。

所述突出部可包括形成在所述基板保护层上的第一突出部以及与所述第一突出部相对的形成在所述膜层上的第二突出部。

所述突出部可包括分别设置为彼此间隔开的多个突出部。

所述第一层可利用包括氧化物或多晶硅的材料形成。

所述第一层和所述第二层中的任意一者或两者可利用选自包括氧化物或多晶硅的材料中的任意一种形成。

所述第一层可利用将由选自包含氟化氢(HF)的蚀刻溶液或蚀刻气体以及包含二氟化氙(XeF₂)的蚀刻溶液或蚀刻气体中的任意一种蚀刻的材料形成。

所述第一层和所述第二层可利用将选择性地由选自包含氟化氢(HF)的蚀刻溶液或蚀刻气体以及包含二氟化氙(XeF₂)的蚀刻溶液或蚀刻气体中的任意一种蚀刻的材料形成。

所述基板保护层和所述膜层可利用包含氮化硅(Si₃N₄)、氧化锰(MgO)、氧化锆(ZrO₂)、氮化铝(AlN)、锆钛酸铅(PZT)、砷化镓(GaAs)、氧化铪(HfO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)和氧化锌(ZnO)中的任意一种的介电层或包含铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、铂(Pt)、镓(Ga)和铪(Hf)中的任意一种的金属层形成。

所述第一层可包括设置在所述腔的内部的突出部以及设置为包围所述腔的蚀刻防止部。

所述体声波谐振器还可包括形成在所述腔中的涂层。