[发明专利]电致发光材料、电致发光材料的制备方法及发光器件有效
申请号: | 201910588608.3 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN110229094B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 井晓芳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C07D209/88 | 分类号: | C07D209/88;C07F9/6558;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 材料 制备 方法 发光 器件 | ||
1.一种电致发光材料,其特征在于,所述电致发光材料的结构式为其中,所述R1的结构式为所述R2的结构式为
2.一种电致发光材料的制备方法,其特征在于,包括:
提供第一反应物和第二反应物,所述第一反应物和所述第二反应物进行反应生成所述电致发光材料,其中,所述第一反应物的结构式为所述X1为F、Cl和Br中的一种,所述X2为F、Cl和Br中的一种,所述X2的原子序数大于等于所述X1的原子序数,所述第二反应物为包括R1基团的化合物和/或包括R2基团的化合物,所述电致发光材料的结构式为或其中,所述R1的结构式为所述R2的结构式为
3.如权利要求2所述的电致发光材料的制备方法,其特征在于,当所述X2的原子序数等于所述X1的原子序数时,所述第二反应物为包括R2基团的化合物,所述电致发光材料的结构式为
4.如权利要求3所述的电致发光材料的制备方法,其特征在于,所述第一反应物的摩尔量和所述第二反应物的摩尔量的对应关系为2-10毫摩的所述第一反应物对应1毫摩-3毫摩的所述第二反应物。
5.如权利要求4所述的电致发光材料的制备方法,其特征在于,所述第一反应物和所述第二反应物在第一溶剂中进行反应生成所述电致发光材料,所述第一溶剂包括四氢呋喃、甲苯、乙醇、乙烯、全氯乙烯、三氯乙烯、丙酮、乙烯乙二醇醚和三乙醇胺中的一种或几种的组合。
6.如权利要求5所述的电致发光材料的制备方法,其特征在于,所述第一溶剂中具有第一添加剂,所述第一添加剂包括碳酸钾、四三苯基磷钯、碳酸铯、氢氧化钾、氢化钠、氢氧化钠、叔丁醇钠(NaOt-Bu)和碳酸氢钠中的一种或几种的组合。
7.如权利要求2所述的电致发光材料的制备方法,其特征在于,当所述X2的原子序数大于所述X1的原子序数时,所述第二反应物为包括R1基团的化合物和包括R2基团的化合物,所述电致发光材料的结构式为
8.如权利要求7所述的电致发光材料的制备方法,其特征在于,所述提供第一反应物和第二反应物,所述第一反应物和所述第二反应物进行反应生成电致发光材料的步骤包括:
提供第一反应物;
提供包括R1基团的化合物,所述第一反应物和所述包括R1基团的化合物反应生成第一中间产物,所述第一中间产物的结构式为以及
提供包括R2基团的化合物,所述第一中间产物和所述包括R2基团的化合物反应生成所述电致发光材料,所述电致发光材料的结构式为
9.如权利要求7所述的电致发光材料的制备方法,其特征在于,所述提供第一反应物和第二反应物,所述第一反应物和所述第二反应物进行反应生成电致发光材料的步骤包括:
提供第一反应物;
提供包括R2基团的化合物,所述第一反应物和所述包括R2基团的化合物反应生成第二中间产物,所述第二中间产物的结构式为以及
提供包括R2基团的化合物,所述第二中间产物和所述包括R2基团的化合物反应生成所述电致发光材料,所述电致发光材料的结构式为
10.一种发光器件,其特征在于,包括:
衬底层,所述衬底层包括基板和阳极层,所述阳极层设置于所述基板上;
空穴传输和注入层,所述空穴传输和注入层设置于所述阳极层上;
发光层,所述发光层设置于所述空穴传输和注入层设上;
电子传输和空穴阻挡层,所述电子传输和空穴阻挡层设置于所述发光层上;
电子注入层,所述电子注入层设置于所述电子传输和空穴阻挡层上;
阴极层,所述阴极层设置于所述电子注入层上;
所述发光层包括电致发光材料,其中,所述电致发光材料的结构式为其中,所述R1的结构式为所述R2的结构式为
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910588608.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。