[发明专利]一种半导体晶体生长装置和方法在审
| 申请号： | 201910362435.3 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111850675A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王刚;沈伟民 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 晶体生长 装置 方法 | ||
1.一种半导体晶体生长装置，其特征在于，包括：
炉体；
坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内、用以容纳硅熔体；
提拉装置，所述提拉装置用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及
加热装置，所述加热装置用以在所述提拉装置从所述硅熔体内提拉出硅晶棒的过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热。
2.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述加热装置包括微波加热装置。
3.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，还包括导流筒，所述导流筒呈桶状并绕所述硅晶棒四周设置，用以对从所述炉体顶部输入的氩气进行整流并调整所述硅晶棒和所述硅熔体液面之间的热场分布。
4.根据权利要求3所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述加热装置设置在所述导流筒内侧。
5.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述加热装置设置在所述硅晶棒温度1000-1300℃的位置处。
6.根据权利要求2所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述微波加热装置的微波频率的范围为0.1GHz-30GHz。
7.根据权利要求2所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述微波加热装置的功率范围为1Kw-10Kw。
8.根据权利要求1所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述加热装置包括在所述硅晶棒直径方向相对设置的至少两块加热模块。
9.根据权利要求8所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述加热模块设置为圆板形或绕所述硅晶锭的圆周方向延伸的圆弧形。
10.根据权利要求8所述的半导体晶体生长装置，其特征在于，所述加热装置包括绕所述硅晶棒圆周设置的第一加热模块、第二加热模块、第三加热模块和第四加热模块；其中所述第一加热模块和所述第二加热模块沿着所述硅晶棒的第一直径方向相对设置，所述第三加热模块和所述第四加热模块沿着所述硅晶棒的第二直径方向相对设置，所述第一直径方向和所述第二直径方向交叉设置。
11.一种半导体晶体生长方法，其特征在于，包括：
获取硅熔体；
从所述硅熔体中提拉出硅晶棒，其中，在提拉过程中对所述硅晶棒的外表面进行加热。
12.如权利要求11所述的半导体晶体生长方法，其特征在于，采用微波加热的方式对所述硅晶棒的外表面进行加热。
13.如权利要求11所述的半导体晶体生长方法，其特征在于，在所述硅晶棒温度1000-1300℃的位置处对所述硅晶棒的外表面进行加热。
14.如权利要求12所述的半导体晶体生长方法，其特征在于，还包括沿着所述硅晶棒的圆周方向，调整所述微波加热的功率分布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910362435.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
