[发明专利]镀膜材料的成型方法

说明书

本发明提供一种镀膜材料的成型方法，包括步骤：提供镀膜材料；对所述镀膜材料进行挤压处理；经过挤压处理后，对所述镀膜材料进行拉拔处理；经过拉拔处理后，对所述镀膜材料进行切段。本发明直接对镀膜材料进行挤压、拉拔以及切段的成型处理，降低了镀膜材料的二次污染的风险，同时加工简单、易于生产管控，产品的合格率高。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种镀膜材料的成型方法。

背景技术

在半导体工艺中，于晶圆上加工制作各种电路元件结构，而使晶圆成为有特定电性功能之IC产品。对于计算机产品而言，晶圆的品质影响着整个计算机的性能。

晶圆背金工艺是一种在晶圆的背面淀积金属的工艺，是连接前部芯片与后部装配的重要工艺，直接影响到后续的装配成品率、热阻等，对器件的可靠性有着重要影响。而在背金工艺中，使用的镀膜材料的洁净度对晶圆的性能有着重要的影响。

现有技术中背金工艺中使用的镀膜材料存在受二次污染的问题，这是由于通常在市面上买到的镀膜材料量很大，在进行背金工艺的时候，所需要的镀膜材料很少，这就需要通过将熔化的镀膜材料液体浇注入铸型内，经冷却凝固获得所需形状和性能的镀膜材料，这样二次铸造的过程中，会出现镀膜材料被二次污染的问题，并且生产成本高。

所以如何避免镀膜材料受二次污染以保证镀膜材料的纯度，这是目前急需解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种镀膜材料的成型方法，避免镀膜材料受二次污染以保证镀膜材料的纯度。

为解决上述问题，本发明提供镀膜材料的成型方法，包括步骤：提供镀膜材料；对所述镀膜材料进行挤压处理；经过挤压处理后，对所述镀膜材料进行拉拔处理；经过拉拔处理后，对所述镀膜材料进行切段。

可选的，所述挤压处理中，挤压温度为50-80℃。

可选的，所述挤压处理中，所述挤压压力为20MPa-50MPa。

可选的，所述拉拔处理为至少两道次拉拔处理。

可选的，当所述拉拔处理为两道次时，每道次拉拔减薄量为0-0.05mm。

可选的，当所述拉拔处理大于两道次时，每道次拉拔减薄量为0.1-0.3mm，最后两道次拉拔减薄量为0-0.05mm。

可选的，所述镀膜材料呈固态状。

可选的，所述镀膜材料为银料或钛料或者镍料。

可选的，对所述镀膜材料进行挤压处理前，还包括：对所述镀膜材料进行去皮和切块处理。

可选的，对所述镀膜材料进行切块处理之后，对所述镀膜材料进行挤压处理之前，还包括：对所述镀膜材料进行清洗和干燥。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案中，依次利用挤压、拉拔以及切段工艺处理镀膜材料，由于挤压过程中，镀膜材料就可以发生形变，镀膜材料变成规则的棒材状，再进行拉拔处理，镀膜材料的直径变小，此时再对镀膜材料进行切段，这样所得到的镀膜材料满足背金工艺中材料使用的规格，不需要将镀膜材料熔化成液体状之后，浇注入铸型内，经冷却凝固得到满足使用规格的镀膜材料；这样直接经过挤压、拉拔以及切段加工过程，降低了镀膜材料的二次污染的风险，同时加工简单、易于生产管控，产品的合格率高。

附图说明

图1至图4是本发明镀膜材料的成型方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

目前在背金工艺中，对镀膜材料的处理通常将大块的镀膜材料经过熔融成液体状，将液体注入铸型中，经过冷却、凝固，再切断分切得到适合尺寸的镀膜材料。