[发明专利]用于形成垂直通道器件的方法、以及垂直通道器件

权利要求书

1.一种形成垂直通道器件的方法，所述方法包括：

在基材(101)上形成包括第一柱部分(110)、第二柱部分(120)和第三柱部分(130)的垂直半导体柱(108)，其中，第二柱部分(120)在第一柱部分(110)上，第三柱部分(130)在第二柱部分(120)上，第二柱部分(120)设置在第一柱部分(110)和第三柱部分(130)之间，并且其中第二柱部分(120)由与形成第一柱部分(110)的上部(110a)的材料不同、且与形成第三柱部分(130)的下部(130a)的材料不同的材料形成，

在第一柱部分(110)的上部(110a)的周向表面上以及第三柱部分(130)的下部(130a)的周向表面(130aa)上形成间隔层(112、132)，以及

形成嵌入第二柱部分(120)和所述上部(110a)和所述下部(130a)的栅极堆叠体(150)，其中间隔层(112、132)形成栅极堆叠体(150)与所述上部(110a)之间以及栅极堆叠体(150)与所述下部(130a)之间的间隔部。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，间隔层(112、132)由氧化物层形成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第二柱部分(120)由氧化速率低于形成所述上部(110a)的材料和形成所述下部(130a)的材料的材料形成，并且所述方法还包括使得柱(108)进行氧化过程，由此在所述周向表面(130aa)和第二柱部分(120)的周向表面上形成氧化物层，其中，在所述上部和所述下部(110a、130a)上所形成的氧化物层部分(112、132)以大于在第二柱部分(120)上所形成的氧化物层部分(122)的厚度形成。

4.如权利要求3所述的方法，所述方法还包括减小氧化物层(112、122、132)的厚度。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，减小氧化物层(112、122、132)的厚度以去除在第二柱部分(120)上所形成的氧化物层部分(122)，并且将厚度减小的氧化物层部分(112、132)保留在所述上部和下部(110a、130a)上。

6.如前述权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，第二柱部分(120)由第一半导体物质形成，并且其中所述上部和下部(110a、130a)由第一半导体物质和至少第二半导体物质的合金形成。

7.如前述权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述上部和下部(110a、130a)由SiGe形成，并且第二柱部分(120)由Si形成。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，

第一柱部分(110)至少包括形成于第一柱部分(110)的所述上部(11a)下方的第一下部(110b)，第一柱部分(110)的所述第一下部(110b)由不同于第一柱部分(110)的所述上部(110a)的材料形成，

其中，第三柱部分(130)至少包括形成于第三柱部分(130)的所述下部(130a)上方的第一上部(130b)，第三柱部分(130)的所述第一上部(130b)由不同于第三柱部分(130)的所述下部(130a)的材料形成。

9.如前述权利要求1至5中任一项所述的方法，所述方法进一步包括：形成底部绝缘层(140)，所述底部绝缘层(140)包埋第一柱部分(110)并使得第一柱部分(110)的所述上部(110a)曝露，其中所述栅极堆叠体(150)形成于底部绝缘层(140)上。

10.如前述权利要求中1至5任一项所述的方法，所述方法进一步包括：在形成栅极堆叠体(150)前，通过将第二柱部分(120)选择性蚀刻至所述上部和下部(110a、130a)来减小第二柱部分(120)的横截面尺寸。