[发明专利]一种电镀制程中的洗边流程在审
| 申请号： | 201810806543.0 | 申请日： | 2018-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN108987259A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 陆超 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 洗边 晶圆 预处理 电镀 金属膜 制程 逆时针旋转 顺时针旋转 电镀金属 去除 预设 半导体制造技术 机台 晶圆边缘 缺口处 上表面 放入 优化 | ||
1.一种电镀制程中的洗边流程，其特征在于，包括提供一经过电镀金属后的预处理晶圆，所述预处理晶圆包括晶圆及经过电镀金属后形成于所述晶圆上表面的金属膜，所述晶圆边缘具有缺口，将所述预处理晶圆放入洗边模块中按照预设旋转方向进行洗边处理以去除所述缺口处的金属膜，所述预设旋转方向包括顺时针旋转和逆时针旋转。
2.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，所述金属膜为铜膜。
3.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，所述洗边模块包括：
喷嘴，所述喷嘴用于向旋转的所述预处理晶圆的边缘喷洒洗边酸液；
旋转装置，所述旋转装置用于放置并旋转所述预处理晶圆。
4.根据权利要求3的洗边流程，其特征在于，所述预处理晶圆放置于所述旋转装4置上后，所述喷嘴位于所述预处理晶圆的外侧上方。
5.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，所述预处理晶圆按照顺时针旋转和逆时针旋转顺序交替进行的方式进行所述洗边处理。
6.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，所述预处理晶圆按照顺时针旋转第一预设次数和逆时针旋转第二预设次数交替进行的方式进行所述洗边处理。
7.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，预处理晶圆按照第一预设旋转速度进行顺时针旋转和第二预设旋转速度进行逆时针旋转。
8.根据权利要求1的洗边流程，其特征在于，所述洗边处理为窄洗边，所述窄洗边的所述洗边宽度小于所述缺口宽度；或
所述洗边处理为窄洗边，所述窄洗边的所述洗边宽度大于所述缺口宽度一预设数值。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
