[发明专利]晶圆上多个对准标记的集中放置和光刻位置的确定方法有效

专利信息
申请号: 201810588302.3 申请日: 2018-06-08
公开(公告)号: CN108803264B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 李伟峰 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;H01L21/67
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶圆上多个 对准 标记 集中 放置 光刻 位置 确定 方法
【权利要求书】:

1.一种晶圆上多个对准标记的集中放置方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供多片具有一个对准标记的晶圆;

在光刻机中建立待执行的曝光文件;

根据曝光文件中晶圆的预设对准标记坐标位置使每片晶圆运动到光刻机的曝光台;

光刻机根据每片晶圆的对准标记生成相应的对准信号;

计算每片晶圆对准信号中心与预设对准标记坐标位置的偏差距离;

以多片晶圆中对准信号中心与预设对准标记坐标位置的最大偏差距离为基准,在晶圆上具有多个对准标记集中放置时,将相邻对准标记之间的间距按照大于2倍的最大偏差距离的关系设置。

2.如权利要求1所述的晶圆上多个对准标记的集中放置方法,其特征在于,重复计算每片晶圆对准信号中心与预设对准标记坐标位置的偏差距离,以多次计算中对准信号中心与预设对准标记坐标位置的最大偏差距离为基准,在晶圆上多个对准标记集中放置时,将相邻对准标记之间的间距按照大于2倍的最大偏差距离设置。

3.如权利要求2所述的晶圆上多个对准标记的集中放置方法,其特征在于,所述最大偏差距离小于80微米时,按照80微米以上的自定义偏差距离计算。

4.如权利要求1所述的晶圆上多个对准标记的集中放置方法,其特征在于,所述多片具有一个对准标记的晶圆,是指两片以上具有相同图形的晶圆,且在一定距离范围内只有一个对准标记。

5.如权利要求4所述的晶圆上多个对准标记的集中放置方法,其特征在于,所述距离范围大于或者等于500微米。

6.如权利要求1所述的晶圆上多个对准标记的集中放置方法,其特征在于,所述晶圆上多个对准标记,是指晶圆具有两个以上的对准标记。

7.如权利要求1所述的晶圆上多个对准标记的集中放置方法,其特征在于,所述对准标记为光刻工艺中的粗对准标记。

8.一种晶圆上多个对准标记的光刻位置的确定方法,其特征在于,根据权利要求1-7中任一项所述的晶圆上多个对准标记的集中放置方法,设置相邻对准标记的位置,执行新的曝光文件,晶圆运动到曝光台,光刻机自动收集晶圆的多个对准信号,并且自动识别靠近预设对准标记坐标位置的对准信号中心对应的对准标记为晶圆当前待执行的曝光文件的光刻位置。

9.如权利要求8所述的晶圆上多个对准标记的光刻位置的确定方法,其特征在于,所述自动识别靠近预设对准标记坐标位置的对准信号中心对应的对准标记为晶圆当前待执行的曝光文件的光刻位置的步骤为粗对准工艺,然后执行精对准工艺。

10.如权利要求9所述的晶圆上多个对准标记的光刻位置的确定方法,其特征在于,在执行精对准工艺后,根据待执行的曝光文件执行曝光工艺。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810588302.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top