[发明专利]一种塑性提升的纳米晶薄膜制备方法

权利要求书

1.一种塑性提升的纳米晶薄膜制备方法，其特征在于，包括：采用磁控溅射法，在纳米晶中引入非晶层，形成纳米晶亚层/非晶亚层交替的多层结构，获得塑性提升的纳米晶薄膜；

纳米晶亚层的材质为Cu，非晶亚层的材质为CuZr；

每层纳米晶亚层的厚度为40nm，每层非晶亚层的厚度为10nm；

纳米晶亚层/非晶亚层交替的多层结构中最底层为非晶亚层；

具体包括以下步骤：

1)将单面抛光单晶硅清洗干净后放入超高真空磁控溅射设备基片台上，准备镀膜；

2)将需要溅射的纳米晶亚层靶材和非晶亚层靶材安置在靶材座上；

3)硅片溅射沉积时，纳米晶亚层选择直流电源溅射，非晶亚层采用射频电源溅射；先在硅基体上用射频电源镀一层非晶亚层，之后在上面用直流电源镀一层纳米晶亚层，这样交替沉积纳米晶亚层/非晶亚层，最终达到所需的厚度；

所制备的纳米晶薄膜硬度为3.875GPa，在拉伸10％的应变量下无裂纹产生。

2.根据权利要求1所述的一种塑性提升的纳米晶薄膜制备方法，其特征在于，步骤1)中，单面抛光的单晶硅用酒精和丙酮超声清洗分别15～30分钟，然后用电吹风吹干。

3.根据权利要求1所述的一种塑性提升的纳米晶薄膜制备方法，其特征在于，步骤2)中，非晶亚层溅射过程中，选择射频电源功率为150W，沉积速率为每分钟10nm；纳米晶亚层选择直流电源功率为100W，沉积速率为每分钟10nm。