[发明专利]一种波导、解复用器及波导的制作方法

说明书

本发明公开了一种波导、解复用器及波导的制作方法。其中，波导包括：衬底、上包层、下包层、波导芯层及聚合物；所述下包层在所述衬底的上方；所述波导芯层在所述下包层的上方；所述上包层在所述下包层和所述波导芯层的上方；在所述波导芯层中各波导芯之间的所述上包层和所述下包层处有深沟槽；所述聚合物填充在所述深沟槽中；所述聚合物的折射率小于所述上包层的折射率。在波导芯层中各波导芯之间有深沟槽，并在深沟槽中填充折射率低于上包层折射率的聚合物材料，可以阻挡或减弱相邻通道间的光串扰，从而避免了信道间信号的干扰，进而提高了接收端信号的质量。

技术领域

本发明涉及光通信技术领域，尤其涉及一种波导、解复用器及波导的制作方法。

背景技术

随着40/100吉比特以太网(GbE)光接口标准(IEEE802.3ba-2010)和可插拔光收发器模块标准(CFP-MAS Rev 1.4)的完成，以及第一代40GbE/100GbE CFP产品逐渐进入市场，制造商逐渐将注意力转移到40/100GbE可插拔收发器的研发和设计上。对系统制造商和客户而言，模块功耗和尺寸是提高系统端口密度，降低整个光端口成本的关键指标，因而成为研发和设计的首要目标，采用单片集成的波导方案是主流实现方案。

目前，将PIN-PD和TIA阵列与PLC型AWG解复用器混合集成的技术被广泛应用。但是，PLC型AWG解复用器的光学指标稍差，特别是光串扰大。在波分复用系统中，接收端解复用器输出波导间的漏光容易引起信道间的信号串扰，即一个通道的信号会泄漏到另一个通道，从而造成接收到的信号质量下降。

发明内容

本发明通过提供一种波导、解复用器及波导的制作方法，解决了现有技术中输出波导间的漏光容易引起信道间的信号串扰的技术问题，实现了提高接收到的信号质量的技术效果。

本发明提供了一种波导，包括：衬底、上包层、下包层、波导芯层及聚合物；所述下包层在所述衬底的上方；所述波导芯层在所述下包层的上方；所述上包层在所述下包层和所述波导芯层的上方；在所述波导芯层中各波导芯之间的所述上包层和所述下包层处有深沟槽；所述聚合物填充在所述深沟槽中；所述聚合物的折射率小于所述上包层的折射率。

进一步地，所述上包层和所述下包层的厚度均是所述波导芯层厚度的3-5倍。

本发明提供的解复用器，包括：输入波导、输入平板波导、阵列波导、输出平板波导及输出波导；其中，所述输出波导为上述的波导；光路依次通过所述输入波导、所述输入平板波导、所述阵列波导、所述输出平板波导和所述输出波导。

本发明提供的波导的制作方法，包括：

在衬底上氧化出下包层；

在所述下包层上沉积波导芯层；

在所述波导芯层上生成波导光路；

在所述波导光路和所述下包层上沉积上包层；

在所述波导光路之间蚀刻深沟槽；

在所述深沟槽中填充聚合物，形成波导。

进一步地，所述在衬底上氧化出下包层，包括：

将硅基晶圆衬底放入加热炉进行氧化反应，在所述硅基晶圆衬底上氧化出二氧化硅下包层。

进一步地，所述在所述下包层上沉积波导芯层，包括：

利用硅烷、锗烷、氧气、一氧化氮在等离子体的状态下在所述下包层上反应生成所述波导芯层。

进一步地，所述在所述波导芯层上生成波导光路，包括：

在所述波导芯层上成底膜；

对所述底膜进行旋转涂胶软烘后，放置掩膜板，对准曝光烘培后显影，将所述掩膜板上图形的相反图形复制到所述底膜上；