[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201810088230.6 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108231861B | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 李菲;胡友元;栾梦雨;吴新风;王欣竹;李慧慧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 胡艳华;李丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,以及设置在所述衬底基板上的像素界定层,所述像素界定层界定了多个像素区域,所述像素区域包括电荷生成层;其中,
所述像素界定层的内部设置有声学结构,所述声学结构用于在阈值声波频率的声波的作用下,发生共振,使相邻两个像素区域的所述电荷生成层断开。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述声学结构包括:凹槽或者音叉。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素界定层的高度为1-2微米,宽度为17-20微米。
4.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述声学结构的开口的宽度小于或者等于1微米,且深度为所述像素界定层的高度的1/2-4/5。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述声学结构的开口包括方形、菱形或者圆形。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素区域还包括:第一发光层和第二发光层;
所述第一发光层设置在所述电荷生成层靠近所述衬底基板的一侧;
所述第二发光层设置在所述电荷生成层远离所述衬底基板的一侧。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,相邻两个像素区域的所述第一发光层断开。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,相邻两个像素区域的所述第二发光层断开。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一所述的阵列基板。
10.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成设置有声学结构的像素界定层;所述像素界定层界定了多个像素区域;所述声学结构设置在像素界定层内部;
在所述像素界定层上形成电荷生成层;
所述声学结构在阈值声波频率的声波的作用下发生共振,使相邻两个像素区域的所述电荷生成层断开。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成设置有声学结构的像素界定层包括:
在衬底基板上形成阳极;
在所述阳极上沉积绝缘薄膜;
通过构图工艺形成设置有声学结构的像素界定层。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述在所述像素界定层上形成电荷生成层之前,所述方法还包括:
在衬底基板上形成第一发光层。
13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述在所述像素界定层上形成电荷生成层之后,所述方法还包括:
在所述电荷生成层上形成第二发光层。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述声学结构在阈值声波频率的声波的作用下发生共振之后,所述方法还包括:
在所述第二发光层远离所述衬底基板的一侧形成阴极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的