[发明专利]蚀刻组合物

说明书

本发明涉及蚀刻组合物，更具体地，提供用于蚀刻用作TFT‑LCD显示器的电极等的过渡金属膜的蚀刻组合物，根据本发明的蚀刻组合物通过显著提高处理件数，即使在蚀刻液内的金属离子含量高的情况下，也在蚀刻偏差、锥角、尾长等方面具有卓越的蚀刻特性，因此可以有效地用于TFT‑LCD显示器、OLED电极制造等方面。

技术领域

本发明涉及蚀刻组合物，更具体地，涉及用于蚀刻用作TFT-LCD显示器的电极等的过渡金属膜(尤其是含酮和/或钼金属膜)的蚀刻组合物。

背景技术

通常，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)在液晶显示装置或有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示装置等中用作用于独立驱动各个像素的电路板。TFT由传输扫描信号的扫描信号线或栅极线和传输图像信号的图像信号线或数据线、与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管以及与薄膜晶体管连接的像素电极等组成。形成所述TFT的布线的形成过程通常由用于形成金属膜的溅镀工艺；通过光刻胶涂布、曝光及显影形成所需图案的光刻胶形成工艺；及用于形成布线的蚀刻工艺；形成布线后去除不必要的光刻胶的剥离工艺。

以往，为了制造半导体装置及TFT-LCD基板，TFT的栅极和数据线电极用布线材料通常使用铝或铝合金层，但是为了实现大型显示器必须减少电极用布线的电阻，为此人们尝试将电阻低的铜和/或钼金属用于布线形成。从而对含有铜和/或钼的布线蚀刻中使用的蚀刻组合物的研究也日益增多。

为了所述含铜和/或钼布线的蚀刻需要具有强氧化力的蚀刻液组合物。因此，专利文献1中公开了一种铜膜蚀刻液，其是含有过氧化氢(H₂O₂)和无机酸或中性盐的混合物。专利文献2中公开了含有过氧化氢、铜反应抑制剂、双氧水稳定剂和氟离子的蚀刻液。此外，专利文献3中公开了将包括氟化合物、有机分子等的五种添加剂附加至过氧化氢的蚀刻液。专利文献4中公开了铁(III)6水合物和氟化氢混合物。但是如上所述的现有的蚀刻液具有对铜膜和其他金属膜的蚀刻速度过快，或蚀刻的金属图案的锥角超过约90°的问题，即具有倒锥形状的问题。此外，铜离子浓度升高时，铜离子与过氧化氢反应形成自由基，而所形成的自由基将组合物内含有的有机物分解从而改变蚀刻液的特性，因此导致不良率提高等问题。

因此，本发明人旨在通过本发明来解决现有技术中存在的上述问题的同时提供一种蚀刻组合物，其通过显著提高处理件数，即使在蚀刻液内金属离子含量高的情况下也能够在锥角、凹槽直径损失(Critical dimension loss，CD-loss)和蚀刻直线性等方面具有卓越的蚀刻特性。

[现有技术文献]

[专利文献】

(专利文献1)KR2000-0079355

(专利文献2)KR2005-0000682

(专利文献3)KR2006-0064881

(专利文献4)KR2000-0032999

发明内容

技术问题

本发明的目的在于，提供一种能够有效地对用作TFT-LCD显示器电极等的过渡金属膜进行蚀刻的蚀刻组合物，具体地，提供一种相比现有技术以较高的选择性对过渡金属膜，尤其是对含铜和/或钼的金属膜显示优异蚀刻特性的蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。

技术方案

为了解决上述问题，本发明的蚀刻组合物的特征在于包含：蚀刻抑制剂，其选自分子内含有从氧、硫和氮中选择的一种以上的杂原子的单环式或多环式杂环化合物；螯合剂；及选自硫酸盐和磷酸盐的蚀刻调节剂。