[发明专利]SiC晶片及SiC晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201780079551.3 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN110268106B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 藤川阳平;鹰羽秀隆 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06;C30B33/00;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 晶片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SiC晶片，
在第一面外露的穿透位错的穿透位错密度与在第二面外露的穿透位错的穿透位错密度之差为所述第一面和所述第二面中的穿透位错密度高的那一面上的穿透位错密度的10％以下，
在所述第一面和所述第二面中的穿透位错密度高的那一面外露的穿透位错中的90％以上延伸到穿透位错密度低的那一面，
在所述第一面和所述第二面中的穿透位错密度高的那一面外露的穿透刃型位错和穿透螺旋位错的合计密度为1.5个/mm2以下。
2.根据权利要求1所述的SiC晶片，
在第一面外露的穿透位错密度和在第二面外露的穿透位错密度之差为0.02个/mm2以下。
3.一种SiC晶片的制造方法，包括：
准备工序，制作穿透位错的面密度为1.5个/mm2以下的籽晶；
晶体生长工序，在坩埚内以使得不从所述籽晶进行口径扩大、且晶体生长面和所述坩埚内的等温面平行的方式进行晶体生长；以及
分割工序，对通过所述晶体生长工序得到的SiC锭进行切片。
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