[实用新型]绝缘栅双极晶体管及IPM模块有效
| 申请号： | 201721508276.6 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN207338383U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 冯宇翔;甘弟 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 528311 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 ipm 模块 | ||
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括:
半导体衬底；
形成在所述半导体衬底第一表面的有源区；
所述有源区包括沟槽栅极区；所述沟槽栅极区包括自所述半导体衬底的第一表面开设的沟槽、覆盖在所述沟槽的内壁面的栅极氧化层、填充于所述沟槽中的多晶层和自所述第一表面覆盖于所述多晶层的顶部的绝缘层，所述栅极氧化层的厚度为0.15-0.2um。
2.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.9-1.1um。
3.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，覆盖于所述沟槽底部的所述栅极氧化层的厚度大于覆盖于沟槽内周壁的所述栅极氧化层的厚度。
4.如权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，覆盖于所述沟槽内周壁上的所述栅极氧化层厚度为0.15-0.2um。
5.如权利要求3所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，覆盖于沟槽底部的所述栅极氧化层厚度为0.15-1.2um。
6.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述沟槽的宽度为1.5-2um。
7.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述沟槽的深度为5-6um。
8.如权利要求1至7任意一项所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述沟槽的数量为多个，多个所述沟槽之间的间距为5-6um。
9.如权利要求1至7任意一项所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述半导体衬底还包括与所述第一表面相对设置的第二表面；所述绝缘栅双极晶体管还包括形成在所述第一表面的漂移区，以及形成在所述第二表面的集电极区；所述有源区还包括阱区以及发射极区，所述阱区的掺杂浓度小于或等于4*10
10.一种IPM模块，其特征在于，包括如权利要求1至9任意一项所述的绝缘栅双极晶体管。
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