[实用新型]晶体管

说明书

本实用新型实施例提供的晶体管包括外延部和管芯，管芯设置在外延部内，管芯包括主干部以及多个延伸部。多个延伸部均与主干部连接，多个延伸部均为该晶体管的发射极，多个延伸部中的每个延伸部的宽度均为预设宽度。由于该晶体管的每个延伸部的宽度均为预设宽度，而预设宽度的晶体管能够具有更好的性能，因此，改善了现有的晶体管由于自身的性能参数较差而不能较好实现检波、整流、放大以及信号调制的功能的问题。

技术领域

本实用新型涉及电子器件领域，具体地，涉及一种晶体管。

背景技术

晶体管是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、稳压、信号调制等多种功能，晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。

现有的晶体管常常由于自身的性能参数较差，不能较好的实现检波、整流、放大、稳压以及信号调制的功能。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种晶体管，以改善现有技术中使用的晶体管自身的性能参数差，不能较好的实现检波、整流、稳压以及信号调制等多种功能的问题。

为实现上述目的，采用以下技术方案：

一方面，本实用新型实施例提供了一种晶体管，所述晶体管包括：外延部和管芯，所述管芯设置于所述外延部内，所述管芯包括主干部以及多个延伸部，所述多个延伸部均与所述主干部连接，所述多个延伸部为该晶体管的发射极；所述多个延伸部中的每个延伸部的宽度均为预设宽度。

优选地，上述的晶体管中，所述多个延伸部中的每个延伸部与所述主干部具有相同的预设角度。

优选地，上述的晶体管中，该晶体管的击穿电压BVCBO根据公式VSUS＝BVCBO/(1+βDC)1/n获取，其中，VSUS为该晶体管的维持电压，βDC为直流增益。

优选地，上述的晶体管中，该晶体管的硅单晶材料的杂质浓度NBC根据所述击穿电压BVCBO与硅单晶材料的杂质浓度的第一映射关系获得。

优选地，上述的晶体管中，该晶体管的电阻率ρc根据所述硅单晶材料的杂质浓度NBC与电阻率的第二映射关系获得。

优选地，上述的晶体管中，该晶体管的集电结耗尽层总宽度xm根据所述击穿电压BVCBO与所述硅单晶材料的杂质浓度NBC的比值以及集电结耗尽层总宽度的第三映射关系获得；该晶体管的集电区高阻层宽度WC根据所述集电结耗尽层总宽度xm获得。