[实用新型]一种半导体激光器驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及激光器设备领域，特别涉及一种半导体激光器驱动电路。

背景技术

由于激光二极管经长时间的点亮，激光二极管PN结正向电压会随时间会发生改变，现有技术中控制电流方式往往只是引入电流反馈闭环，使得激光两极管工作电流会随激光两极管PN结正向电压改变而变化。但是，这种方式在实际过程中对电流的控制并不十分稳定，一旦出现不稳定情况容易造成激光器烧毁。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种半导体激光器驱动电路，解决现有技术中单单靠电流反馈闭环来控制电流导致电流不稳定的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：

一种半导体激光器驱动电路，包括：MCU组合、D/A转换器、泵浦电流控制器、A/D转换器和光路切断开关，所述MCU组合分别与所述D/A转换器、所述A/D转换器和所述光路切断开关连接，所述D/A转换器和所述A/D转换器分别和所述泵浦电流控制器连接；其中，所述MCU组合还通过串口与外部连接，所述泵浦电流控制器与激光泵浦模块连接。

其中，所述泵浦电流控制器包括：电压反馈运放、电流反馈运放、保护电路、N-MOSFET功率驱动管阵列、半导体激光管、平衡电源、工作电源和检流取样电阻，所述电压反馈运放分别与所述D/A转换器、所述电流反馈运放以及所述N-MOSFET功率驱动管阵列连接，所述电流反馈运放还分别与所述保护电路、所述N-MOSFET功率驱动管阵列和所述检流取样电阻，所述N-MOSFET功率驱动管阵列还与所述半导体激光管和所述检流取样电阻分别连接，所述平衡电源与保护电路连接，所述工作电源与检流取样电阻连接。

具体的，所述N-MOSFET功率驱动管阵列包括多个N-MOSFET功率驱动管，每个所述N-MOSFET功率驱动管通过D极和S极关联组成；所述N-MOSFET功率驱动管阵列的G级连接一个电阻R后再连接到电流反馈运放的输出端。

具体的，所述平衡电源包括一正电源和一负电源，所述正电源通过第一分压器电阻连接至所述平衡电源的输出端，所述负电源通过第二分压器电阻连接至所述平衡电源的输出端。

更具体的，所述第一分压器电阻和所述第二分压器电阻的中间点输出电压为-8.5V。

具体的，所述半导体激光管的数量为3个。

具体的，所述电压反馈运放与所述电流反馈运放之间连接有负载电阻；所述N-MOSFET功率驱动管与所述电流反馈运放之间连接有负载电阻。

采用上述技术方案，由于增加了激光二极管PN结正向电压反馈闭环，并且还加入激光二极管驱动保护电路和运放电压平衡检测电路，使得半导体激光器电流驱动变得更加稳定，同时也有效的保护了泵浦源的正常工作。

附图说明

图1为本实用新型半导体激光器驱动电路的电路结构图；

图2为本实用新型中泵浦电流控制器的电路结构图；

图3为本实用新型中泵浦电流控制器的应用电路图。

图中，1-MCU组合，2-D/A转换器，3-泵浦电流控制器，31-电压反馈运放，32-电流反馈运放，33-保护电路，34-N-MOSFET功率驱动管阵列，35-半导体激光管，36-检流取样电阻，4-A/D转换器，5-光路切断开关，6-激光泵浦模块。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

作为本实用新型的第一实施例，提出一种半导体激光器驱动电路，如图1所示，包括：MCU(微控制单元)组合1、D/A转换器(数模转换器)2、泵浦电流控制器3、A/D转换器(模数转换器)4和光路切断开关5，MCU组合1分别与D/A转换器2、A/D转换器4和光路切断开关5连接，D/A转换器2和A/D转换器分别4和泵浦电流控制器3连接，MCU组合1还通过RS232串口与输入端连接，泵浦电流控制器3与激光泵浦模块6连接。