[实用新型]一种半导体激光器驱动电路有效
| 申请号： | 201720178800.1 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN206498087U | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘承勇;陈化慧;邓小春;刘承慧 | 申请（专利权）人： | 福州紫凤光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人： | 张清彦 |
| 地址： | 350007 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 驱动 电路 | ||
1.一种半导体激光器驱动电路，其特征在于，包括：MCU组合、D/A转换器、泵浦电流控制器、A/D转换器和光路切断开关，所述MCU组合分别与所述D/A转换器、所述A/D转换器和所述光路切断开关连接，所述D/A转换器和所述A/D转换器分别和所述泵浦电流控制器连接；其中，所述MCU组合还通过串口与外部连接，所述泵浦电流控制器与激光泵浦模块连接。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于：所述泵浦电流控制器包括：电压反馈运放、电流反馈运放、保护电路、N-MOSFET功率驱动管阵列、半导体激光管、平衡电源、工作电源和检流取样电阻，所述电压反馈运放分别与所述D/A转换器、所述电流反馈运放以及所述N-MOSFET功率驱动管阵列连接，所述电流反馈运放还分别与所述保护电路、所述N-MOSFET功率驱动管阵列和所述检流取样电阻，所述N-MOSFET功率驱动管阵列还与所述半导体激光管和所述检流取样电阻分别连接，所述平衡电源与保护电路连接，所述工作电源与检流取样电阻连接。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于：所述N-MOSFET功率驱动管阵列包括多个N-MOSFET功率驱动管，每个所述N-MOSFET功率驱动管通过D极和S极关联组成；所述N-MOSFET功率驱动管阵列的G级连接一个电阻R后再连接到电流反馈运放的输出端。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于：所述平衡电源包括一正电源和一负电源，所述正电源通过第一分压器电阻连接至所述平衡电源的输出端，所述负电源通过第二分压器电阻连接至所述平衡电源的输出端。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于：所述第一分压器电阻和所述第二分压器电阻的中间点输出电压为-8.5V。
6.根据权利要求2所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于：所述半导体激光管的数量为3个。
7.根据权利要求2所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于：所述电压反馈运放与所述电流反馈运放之间连接有负载电阻；所述N-MOSFET功率驱动管与所述电流反馈运放之间连接有负载电阻。
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