[发明专利]离子植入方法及离子植入设备

说明书

一种离子植入方法及离子植入设备，所述离子植入方法包括：发射离子束，所述离子束覆盖的范围形成离子植入区；所述离子植入区内具有第一晶圆进行离子植入，所述离子植入区外具有第二晶圆作为待处理晶圆；当所述第一晶圆完成离子植入后，控制所述第一晶圆离开离子植入区的过程中，控制所述第二晶圆进入离子植入区作为第一晶圆进行离子植入。由于第一晶圆离开离子植入区的同时，第二晶圆进入离子植入区，使得相邻两片晶圆在离子植入区内的时间间隔可以很短，甚至做到无缝交替，从而使离子束始终能够作用于晶圆，对晶圆的表面进行离子植入，提升离子植入的效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种离子植入方法及离子植入设备。

背景技术

离子植入指的是半导体制造过程中，利用离子植入设备在晶圆的表面植入杂质，以改变晶圆表面特性的工艺方法。

离子植入过程中，需要将待处理的晶圆装载固定，并传送至离子源所发射的离子束所覆盖的区域内，离子束的运动方向朝向晶圆的表面，以将离子植入至晶圆的表面。待离子植入后，将晶圆传送至离子束所覆盖的区域外，卸下晶圆，并将下一待处理的晶圆装载固定，传送至离子束所覆盖的区域内。往复循环，以实现对多个晶圆的离子植入。

其中，在装载、传送、卸下晶圆的过程中，晶圆位于离子束所覆盖的区域外，离子束无法在晶圆的表面植入离子，降低离子植入效率。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术中离子植入方法的效率较低。

为解决上述问题，本发明提供一种离子植入方法，包括：发射离子束，所述离子束覆盖的范围形成离子植入区；所述离子植入区内具有第一晶圆进行离子植入，所述离子植入区外具有第二晶圆作为待处理晶圆；当所述第一晶圆完成离子植入后，控制所述第一晶圆离开离子植入区的过程中，控制所述第二晶圆进入离子植入区作为第一晶圆进行离子植入。

可选的，控制所述第一晶圆离开离子植入区的过程包括：提供晶圆传送装置，利用所述晶圆传送装置固定所述第一晶圆，控制所述晶圆传送装置运行至所述离子植入区外。

可选的，控制所述第二晶圆进入离子植入区的过程包括：提供晶圆传送装置，利用所述晶圆传送装置固定所述第二晶圆，控制所述晶圆传送装置运行至所述离子植入区内。

可选的，在所述晶圆传送装置运行至所述离子植入区外后，控制所述晶圆传送装置卸下晶圆，以待固定位于所述离子植入区外的第二晶圆，并控制所述晶圆传送装置运行至所述离子植入区内。

为解决上述技术问题，本技术方案还提供一种离子植入设备，包括：壳体，围成工艺腔，所述工艺腔包括离子植入区和晶圆载卸区；离子源，适于发射离子束至所述离子植入区内；所述离子植入设备还包括：至少两个晶圆传送装置，均设置在所述工艺腔内，所述晶圆传送装置适于在所述晶圆载卸区和离子植入区之间运动，以传送晶圆。

可选的，多个晶圆传送装置沿离子束的发射方向依次设置，且所述晶圆传送装置适于沿垂直于离子束的发射方向进入离子植入区或进入晶圆载卸区。

可选的，至多一个所述晶圆传送装置位于所述离子植入区内。

可选的，所述晶圆传送装置包括第一传送装置和第二传送装置，所述离子植入设备还包括：控制器，所述控制器适于控制所述第一传送装置离开所述离子植入区的过程中，控制所述第一传送装置进入所述离子植入区；所述控制器适于控制所述第二传送装置离开所述离子植入区的过程中，控制所述第一传送装置进入所述离子植入区。

可选的，所述晶圆传送装置包括：承载盘，适于固定晶圆；传动部，连接所述承载盘，适于带动所述承载盘在所述晶圆载卸区和离子植入区之间运动；所述传动部适于自转以改变所述离子束相对所述承载盘的入射角度。