[发明专利]一种湿法刻蚀下料叠片的返工方法

说明书

本发明公开了一种湿法刻蚀下料叠片的返工方法，包括如下步骤：A、将产生于镀膜之前、刻蚀之后出现的待返工硅片以净水冲洗、烘干待用；B、将待返工硅片置于扩散机中升温，添加氧气、磷、氮气进行沉积；C、沉积后进一步升温，并添加氧气、氮气，直接进行推进步骤；D、将完成推进的硅片进行降温、卸片；E、将完成步骤D后的硅片重新进行刻蚀、清洗并吹干即可。本发明的有益效果是：可以针对镀膜之前、刻蚀之后因自动化设备将硅片传送到料盒时出现的堆叠硅片不良品进行返工，具有节约返工时间、降低碎片率的效果。

技术领域

本发明属于晶硅太阳能电池的生产制造领域，具体是一种湿法刻蚀下料叠片的返工方法。

背景技术

晶硅太阳能电池的制造多使用湿法刻蚀的工艺。由于材料科技和加工工艺的提高，原料硅的切片厚度越来越薄。对于制造企业来说，硅片越薄，单位体积的原料硅就能制成更多的产品，对企业效益有利。但是越来越薄的硅片也使制造过程中的不良率出现上升。一般在湿法刻蚀制造太阳能硅片时，要经过制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网印刷等步骤。其中刻蚀步骤完成后，由自动化设备将硅片传送到料盒时，容易产生硅片堆叠，导致扩散步骤中在硅片上制成的PN结被磨损。传统上，针对返工硅片，都是需要从第一步制绒开始，重新流经整个制作步骤，不但时间浪费，而且由于二次制绒时再一次酸洗，导致硅片厚度显著降低，强度受到影响，破片率居高不下，产品得率无法有效提高。中国专利文献CN107195728A于2017年9月22日公开了“一种太阳能电池返工片的处理方法”，包括：将镀膜的脏片洗去膜，之后将洗去膜的硅片用炉前清洗工艺再清洗一次去掉硅片表面的脏污以及金属离子，之后将清洗后的硅片置于扩散炉管内进行热氧化工艺，通过热氧化工艺增加扩散氮及小氧保证片子方阻基本不变，且形成10nm±2nm的氧化层，之后将热氧化后的硅片进行湿法刻蚀工艺及正常镀膜工艺镀膜；镀膜出来后，将电池片经过正常印刷图，检测，制成电池片。该方法适用于镀膜步骤结束后的不良品返工，而湿法刻蚀工艺中不良品最大量出现的是在镀膜之前、刻蚀之后。因此该方法并不能很好的适用在镀膜之前、刻蚀之后因自动化设备将硅片传送到料盒时出现的堆叠硅片不良品上。

发明内容

针对上述技术问题，本发明提供一种湿法刻蚀下料叠片的返工方法，可以针对镀膜之前、刻蚀之后出现的因自动化设备将硅片传送到料盒时出现的堆叠硅片不良品进行返工，具有节约返工时间、降低碎片率的效果。

为了实现发明目，本发明采用如下技术方案：一种湿法刻蚀下料叠片的返工方法，包括如下步骤：

A、将产生于镀膜之前、刻蚀之后出现的待返工硅片以净水冲洗、烘干待用；

B、将待返工硅片置于扩散机中升温，添加氧气、磷、氮气进行沉积；

C、沉积后进一步升温，并添加氧气、氮气，直接进行推进步骤；

D、将完成推进的硅片进行降温、卸片；

E、将完成步骤D后的硅片重新进行刻蚀、清洗并吹干即可。

传统的返工方法，需要将返工硅片如原料硅片一样从制绒步骤开始重新制作一次，因此其返工时间相当于原料硅片的制备时间，而由于已经经过一次酸洗制绒，因此返工时的再一次酸洗制绒，会显著影响硅片的厚度，导致强度下降明显，因此这样返工后的硅片在后续步骤中的碎片率很高。而本技术方案中，将待返工硅片直接置于扩散机中，从扩散步骤开始返工，由于常规扩散工艺需要在硅片表面完整的沉积结深在0.3um-0.5um的PN结，达到扩散方阻在90±20欧姆，满足产品工艺需求。本技术方案中，只需要通过上述特定的扩散工艺将待返工硅片局部磨损的PN结进行修复，沉积±5欧姆之间的扩散层即可，因此本方案中的返工工艺无需重新制绒，通过上述特定的扩散工艺将局部磨损的PE结进行修复，就能很好的重新生成PN结，满足工艺要求。同时，由于不再经过酸洗制绒，返工硅片的厚度得到保留，强度不会被破坏，破片率也显著下降。经过这样的返工步骤后的硅片，就可以如原料硅片一样，同步进入后续的镀膜、丝网印刷等步骤。