[发明专利]一种化学气相沉积方法及系统

说明书

本发明实施例公开了一种化学气相沉积方法及系统。方法包括如下步骤：在反应室内的衬底之上沉积薄膜；吹扫薄膜以及通过抽吸管道抽吸反应室内的气体，以带走沉积薄膜产生的颗粒；抽吸管道的入口端朝向薄膜的高度方向，且入口端的底部的内边缘低于衬底的基准面，入口端的顶部的内边缘高于薄膜的顶部；基准面是衬底用于沉积薄膜的一侧中靠近入口端的边缘的上表面。系统包括反应室；具有喷淋出口的沉积装置；位于喷淋出口下方的承载面；抽吸装置，抽吸装置包括抽吸管道；以及设置在反应室内的调整装置，调整装置用于调整承载面到喷淋出口的距离，用以实现抽吸管道的入口端的底部的内边缘低于基准面，入口端的顶部的内边缘高于衬底所沉积的薄膜的顶部。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种化学气相沉积方法及系统。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)是半导体制造领域常用的制造工艺，至少包括沉积薄膜工艺和清洗工艺。如以硅晶圆为衬底制造硅半导体集成电路的过程中，需要在硅晶圆之上沉积薄膜，在此过程中会产生颗粒，该颗粒包括固体颗粒和冷凝形成的液体颗粒。在清洗工艺中，颗粒会随着清洗工艺产生的气体流动将一部分颗粒排出反应室内，但是仍会有一部分的颗粒沉积在硅晶圆的边缘。在硅晶圆的边缘残留有颗粒的情况下，继续制造硅半导体集成电路，将会严重影响集成电路的良率。如硅晶圆的边缘残留的颗粒导致后续制造工艺中的金属导线断线，硅半导体集成电路无法正常工作。

因此，如何减少残留在衬底如硅晶圆的边缘的颗粒，进而提高产品良率，是本领域技术人员急需要解决的技术问题。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种化学气相沉积方法及系统，以至少解决背景技术中存在的技术问题。

本发明实施例的技术方案是这样实现的，根据本发明的一个实施例，提供了一种化学气相沉积方法，包括如下步骤：

在反应室内的衬底之上沉积薄膜；以及

吹扫所述薄膜以及通过抽吸管道抽吸所述反应室内的气体，以带走沉积所述薄膜产生的颗粒；其中，所述抽吸管道的入口端朝向所述薄膜的高度方向，且所述入口端的底部的内边缘低于所述衬底的基准面，所述入口端的顶部的内边缘高于所述薄膜的顶部；

其中，所述基准面是所述衬底用于沉积薄膜的一侧中靠近所述入口端的边缘的上表面。

作为一种可选的方式，所述入口端的底部的内边缘与所述基准面的距离用h₁表示，所述入口端的顶部的内边缘与所述薄膜的顶部的距离用h₂表示，h₁和h₂符合下述关系：

h₂>h₁>0。

作为一种可选的方式，在吹扫所述薄膜以及抽吸所述反应室内的气体之前还包括以下步骤：

在吹扫所述薄膜以及抽吸所述反应室内的气体之前还包括以下步骤：

缩小承载面到喷淋出口的距离，小于在沉积所述薄膜时所述承载面到所述喷淋出口的距离；

其中，所述承载面是用于承载所述衬底的加热载台表面，所述喷淋出口用于在吹扫所述薄膜时喷出吹扫用气体及用于在沉积所述薄膜时喷出沉积用的气体。

作为一种可选的方式，在吹扫所述薄膜以及抽吸所述反应室内的气体步骤中，所述承载面到所述喷淋出口的距离的取值范围为小于等于9毫米。

作为一种可选的方式，在吹扫所述薄膜以及抽吸所述反应室内的气体步骤中，所述承载面到所述喷淋出口的距离的取值范围为大于等于6毫米小于等于9毫米。