[发明专利]FINFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

P型场效应晶体管(PFET)，包括：

N阱，设置在衬底中；

隔离结构，设置在所述N阱上方；

第一鳍结构，设置在所述N阱上方，其中，所述第一鳍结构包括下部区段和设置在所述下部区段上方的上部区段，并且其中，所述下部区段设置在所述隔离结构的上表面下方；

所述下部区段还包括设置在所述N阱上方的第二半导体层，所述第二半导体层包含硅层，所述上部区段包括第一半导体层，所述第一半导体层包含硅锗层；

第一衬垫层，设置在所述N阱上方和所述第一鳍结构的下部区段的侧壁上；以及

第二衬垫层，设置在所述第一衬垫层上方，其中，所述第一衬垫层和所述第二衬垫层包括不同的材料，所述第一衬垫层和所述第二衬垫层均与所述第一半导体层和所述第二半导体层的接触界面共面；以及

N型场效应晶体管(NFET)，包括：

P阱，设置在所述衬底中；

隔离结构，设置在所述P阱上方；

第二鳍结构，设置在所述P阱上方，其中，所述第二鳍结构包括下部区段和设置在所述下部区段上方的上部区段，并且其中，所述下部区段设置在所述隔离结构的上表面下方；以及

第三衬垫层，设置在所述P阱上方和所述第二鳍结构的下部区段的侧壁上，其中，所述第三衬垫层和所述第二衬垫层包括相同的材料，所述第三衬垫层的顶面与所述隔离结构的顶面共面，

其中，所述P型场效应晶体管和所述N型场效应晶体管具有不同数量的衬垫层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第二鳍结构包括硅层；

所述第一衬垫层包括配置为防止所述硅锗层被氧化的材料；以及

所述第三衬垫层包括配置为对所述N型场效应晶体管提供应力的材料。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述第一衬垫层包括含氮化物的材料；

所述第二衬垫层包括含氧化物的材料；以及

所述第三衬垫层包括含氧化物层的材料。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

所述第一衬垫层包括氮化硅；以及

所述第二衬垫层和所述第三衬垫层均包括氧化硅。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述第一衬垫层和所述第二衬垫层的任何部分都不设置在所述硅锗层的侧壁上；以及

所述第三衬垫层的任何部分都不设置在所述硅层的侧壁上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一衬垫层的部分设置在所述N阱的侧面上；以及

所述第三衬垫层的部分设置在所述P阱的侧面上。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离结构包括浅沟槽隔离(STI)，并且其中，在截面侧视图中，所述第二衬垫层和所述第三衬垫层围绕所述浅沟槽隔离。