[发明专利]透明导电膜形成用靶材及其制造方法、透明导电膜及其制造方法

说明书

本发明提供一种相对密度高、并能够抑制溅镀成膜时的电弧作用及颗粒的产生的透明导电膜形成用靶材、透明导电膜、透明导电膜形成用靶材的制造方法及透明导电膜的制造方法。一种透明导电膜形成用靶材，含有In、Sn、Zn、O，Sn/(In+Sn+Zn)＝7～17at％，Zn/(In+Sn+Zn)＝0.5～12at％，Sn与Zn的原子数比(Sn/Zn)为1.3以上，并且通过XRD测定得到的Sn₃In₄O₁₂结晶相相对于In₂O₃结晶相的峰强度比(Sn₃In₄O₁₂/In₂O₃)为0.10以下，相对密度为97％以上。

技术领域

本发明涉及一种透明导电膜形成用靶材、透明导电膜、透明导电膜形成用靶材的制造方法及透明导电膜的制造方法。

背景技术

透明导电膜(ITO膜)因具有低电阻率、高透过率、微细加工容易性等特征，而广泛用于液晶或等离子体等平板显示器的电极等。ITO膜通常是使用ITO烧结体作为靶材通过溅镀成膜法来制造，但通过溅镀得到的ITO膜的一部分有时会发生结晶化。因此，在蚀刻已成膜的ITO膜以形成电路或电极时，结晶化的膜的一部分以所谓蚀刻残余物的形式残留，有时会引起配线短路等问题。

作为防止膜的结晶化、使膜整体呈非晶质的方法，已知有在溅镀时除了添加溅镀气体以外还添加水及氢气的方法。然而，通过添加了水的溅镀，溅镀成膜时有时会产生电弧作用及颗粒，使ITO膜的平坦性及结晶性恶化。另外，虽然ITO靶材包含In₂O₃相和In₄Sn₃O₁₂相，但由于各结晶相中电阻不同，所以在溅镀成膜时作为块状体施加电压时，其电阻差有可能成为电弧作用及颗粒的要因。

在日本专利第4947942号(专利文献1)中，记载着一种含有铟、锡、锌和氧的溅镀靶材，其实质上包含以In₂O₃表示的方铁锰矿结构化合物。

在日本专利第3961172号(专利文献2)中，记载着一种透明导电膜形成用靶材的例子，该靶材由含有锌、铟、锡的含量调整至规定范围的铟氧化物、锡氧化物和锌氧化物的复合氧化物构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4947942号公报

专利文献2：日本专利第3961172号公报

发明内容

技术问题

然而，专利文献1中记载的靶材虽然记载着理论相对密度高，但最大也就是96％左右，膜的电阻率也高，作为目前所要求的靶材的特性尚不充分。专利文献2中没有记载组成以外的靶材信息，关于产生电弧作用及颗粒的影响也没有充分研究。

另一方面，从近年的平板显示器及智能手机等的高精细化及ITO膜的制造产率提高的角度考虑，所得ITO膜中的小缺陷等也不能忽视，寻求一种与以往相比更进一步抑制电弧作用及颗粒的产生、并适合制造更高品质的ITO膜的透明导电膜形成用靶材。

鉴于上述课题，本发明提供一种相对密度高、且能够抑制溅镀成膜时的电弧作用及颗粒的产生、并适合制造更高品质的ITO的透明导电膜形成用靶材、透明导电膜、透明导电膜形成用靶材的制造方法及透明导电膜的制造方法。

解决问题的方案