[发明专利]封装结构在审
申请号: | 201711284151.4 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN109585410A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 刘明凯;普翰屏;柯亭竹;江永平;黄昶文;谢佑生 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重布线 第一连接件 封装结构 管芯 第二连接件 细长通孔 结构连接 结构设置 | ||
本揭露提供一种封装结构。所述封装结构包括:管芯、重布线结构以及第二连接件。管芯具有第一连接件。重布线结构设置在管芯上。重布线结构包括至少一个细长通孔。所述至少一个细长通孔位于第一连接件上且与第一连接件连接。第二连接件设置在重布线结构上且与重布线结构连接。
技术领域
本揭露涉及一种封装结构。
背景技术
随着各种电子组件(即,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续提高,半导体行业已经历快速成长。在很大程度上,集成密度的此种提高来自于最小特征大小(minimum feature size)的不断减小,以允许更多较小的组件能够集成到给定区域中。这些较小的电子组件需要比以往的封装更小的较小封装。半导体组件的一些较小型的封装包括方形扁平封装(quad flat package,QFP)、引脚阵列(pin grid array,PGA)封装、球阵列(ball grid array,BGA)封装等等。
当前,集成扇出型封装因其紧密度而趋于热门。在集成扇出型封装中,形成重布线路结构在封装工艺中至关重要。
根据本揭露的一些实施例,提供一种封装结构。所述封装结构包括管芯、重布线结构及第二连接件。管芯具有第一连接件。重布线结构设置在管芯上且包括至少一个细长通孔。至少一个细长通孔位于第一连接件上并与第一连接件连接。第二连接件设置在重布线结构上,并与重布线结构连接。
根据本揭露的替代实施例,提供一种封装结构。所述封装结构包括管芯、重布线结构及第二连接件。管芯具有第一连接件。重布线结构设置在管芯上。重布线结构包括位于第一连接件上的通孔。通孔的底表面的面积大于通孔的顶表面的面积。所述底表面与第一连接件接触并电性连接。第二连接件设置在重布线结构上,并重布线结构连接。
根据本揭露的一些实施例,提供一种制造封装结构的方法。在管芯的钝化层及第一连接件上形成重布线结构,重布线结构的形成方法阐述如下。在管芯上形成图案化的掩模层。在图案化的掩模层的开口中形成导电层。移除图案化的掩模层。对导电层执行处理工艺以形成通孔,通孔的顶表面小于通孔的底表面。在重布线结构上形成第二连接件。
附图说明
图1A至图1L是说明根据本揭露第一实施例的形成封装结构的方法的示意性剖视图。
图2是根据本揭露第一实施例的封装结构的通孔的立体图。
图3A至图3E是说明根据本揭露一些实施例的通孔的顶表面及底表面的形状的实例。
图4A至图4C是根据本揭露第二实施例的封装结构的通孔的立体图。
图5A至图5D是说明根据本揭露第三实施例的形成封装结构的方法的示意性剖视图。
图6A至图6B是根据本揭露第三实施例的封装结构的通孔的立体图。
图7是说明根据本揭露一些实施例的位于管芯的连接件之上的重布线层(redistribution layer,RDL)的立体图。
图8是说明根据本揭露一些实施例的位于管芯的连接件之上的重布线层的俯视图。
图9是根据本揭露一些实施例的形成封装结构的方法的流程图。
[符号的说明]
10:载板
11:离型层
12:介电层
13:粘合层
14、71:衬底
15:接垫
16、18、48:钝化层
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